Andreas Kling
AuthID: R-000-1R6
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TÃTULO: Influence of impurities on the optical damage of KTiOPO[sub 4] crystals Full Text
AUTORES: Zaldo, C; Carvajal, J; Solé, R; Dı́az, F; Bravo, D; Kling, A;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 88, NÚMERO: 6
AUTORES: Zaldo, C; Carvajal, J; Solé, R; Dı́az, F; Bravo, D; Kling, A;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 88, NÚMERO: 6
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TÃTULO: Combined ion bean and hyperfine interaction studies of LiNbO3 single crystals
AUTORES: Marques, JG; Kling, A; Rebouta, L ; da Silva, MF; Soares, JC;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: Workshop on Ion and Slow Positron Beam Utilisation in PROCEEDINGS OF THE WORKSHOP ON ION AND SLOW POSITRON BEAM UTILISATION
AUTORES: Marques, JG; Kling, A; Rebouta, L ; da Silva, MF; Soares, JC;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: Workshop on Ion and Slow Positron Beam Utilisation in PROCEEDINGS OF THE WORKSHOP ON ION AND SLOW POSITRON BEAM UTILISATION
INDEXADO EM: 
WOS
WOS NO MEU: 
ORCID | ResearcherID
ORCID | ResearcherID43
TÃTULO: Strain relaxation mechanisms in Si1−xGex layers grown by solid-phase epitaxy: Influence of the layer composition and growth temperature Full Text
AUTORES: Rodríguez, A; Rodríguez, T; Kling, A; Soares, JC; Da Silva, MF; Ballesteros, C;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: Journal of Electronic Materials - Journal of Elec Materi, VOLUME: 28, NÚMERO: 2
AUTORES: Rodríguez, A; Rodríguez, T; Kling, A; Soares, JC; Da Silva, MF; Ballesteros, C;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: Journal of Electronic Materials - Journal of Elec Materi, VOLUME: 28, NÚMERO: 2
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TÃTULO: Determination of the strain depth profile in solid-phase epitaxially grown SiGe layers using RBS/channeling Full Text
AUTORES: Rodríguez, A; Rodríguez, T; Kling, A; J.C Soares; M.F da Silva; Ballesteros, C;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 136-138
AUTORES: Rodríguez, A; Rodríguez, T; Kling, A; J.C Soares; M.F da Silva; Ballesteros, C;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 136-138
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TÃTULO: Strain compensation by heavy boron doping in Si1– xGe x layers grown by solid phase epitaxy
AUTORES: Rodríguez, A; Rodríguez, T; Sanz-Hervás, A; Kling, A; Soares, JC; da Silva, MF; Ballesteros, C; Gwilliam, RM;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: Journal of Materials Research - J. Mater. Res., VOLUME: 12, NÚMERO: 07
AUTORES: Rodríguez, A; Rodríguez, T; Sanz-Hervás, A; Kling, A; Soares, JC; da Silva, MF; Ballesteros, C; Gwilliam, RM;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: Journal of Materials Research - J. Mater. Res., VOLUME: 12, NÚMERO: 07
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TÃTULO: Strain and defects depth distributions in undoped and boron-doped Si1−xGex layers grown by solid phase epitaxy Full Text
AUTORES: Rodríguez, A; Rodríguez, T; Kling, A; Soares, JC; da Silva, MF; Ballesteros, C;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: Journal of Applied Physics, VOLUME: 82, NÚMERO: 6
AUTORES: Rodríguez, A; Rodríguez, T; Kling, A; Soares, JC; da Silva, MF; Ballesteros, C;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: Journal of Applied Physics, VOLUME: 82, NÚMERO: 6
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TÃTULO: Lattice Location of Hf in Near-Stoichiometric LiNbO<sub>3</sub>: RBS/Channeling and PAC Studies
AUTORES: J.G Marques; Kling, A; Rebouta, L; M.F da Silva; A.A Melo; J.C Soares; M.D Serrano; Diéguez, E; Agulló-López, F;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 248-249
AUTORES: J.G Marques; Kling, A; Rebouta, L; M.F da Silva; A.A Melo; J.C Soares; M.D Serrano; Diéguez, E; Agulló-López, F;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 248-249
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TÃTULO: Channeling investigations of MeV Zn implanted InP Full Text
AUTORES: Kling, A; Krause, H; R.-H Flagmeyer; Vogt, J; Butz, T;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 96, NÚMERO: 1-2
AUTORES: Kling, A; Krause, H; R.-H Flagmeyer; Vogt, J; Butz, T;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 96, NÚMERO: 1-2
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TÃTULO: CASSIS - a new Monte-Carlo computer program for channeling simulation of RBS, NRA and PIXE Full Text
AUTORES: Kling, A;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 102, NÚMERO: 1-4
AUTORES: Kling, A;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 102, NÚMERO: 1-4
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TÃTULO: CASSIS — A new Monte-Carlo computer program for channeling simulation of RBS, NRA and PIXE Full Text
AUTORES: Kling, A;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 102, NÚMERO: 1-4
AUTORES: Kling, A;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 102, NÚMERO: 1-4
