Virginia Chu
AuthID: R-000-HJ2
171
TÃTULO: Annealing kinetics of a-Si:H deposited by concentric-electrode rf glow discharge at room temperature Full Text
AUTORES: Conde, JP; Chan, KK; Blum, JM; Arienzo, M; Monteiro, PA; Ferreira, JA; Chu, V; Wyrsh, N;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 73, NÚMERO: 4
AUTORES: Conde, JP; Chan, KK; Blum, JM; Arienzo, M; Monteiro, PA; Ferreira, JA; Chu, V; Wyrsh, N;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 73, NÚMERO: 4
173
TÃTULO: AMORPHOUS-SILICON GERMANIUM THIN-FILM PHOTODETECTOR ARRAY
AUTORES: SHEN, DS; CONDE, JP ; CHU, V; ALJISHI, S; LIU, JZ; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOLUME: 13, NÚMERO: 1
AUTORES: SHEN, DS; CONDE, JP ; CHU, V; ALJISHI, S; LIU, JZ; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOLUME: 13, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Amorphous silicon-germanium thin-film photodetector array
AUTORES: D.S Shen; J.P Conde; Chu, V; Aljishi, S; J.Z Liu; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: IEEE Electron Device Lett. - IEEE Electron Device Letters, VOLUME: 13, NÚMERO: 1
AUTORES: D.S Shen; J.P Conde; Chu, V; Aljishi, S; J.Z Liu; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: IEEE Electron Device Lett. - IEEE Electron Device Letters, VOLUME: 13, NÚMERO: 1
175
TÃTULO: OPTOELECTRONIC PROPERTIES OF HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON FILMS DEPOSITED UNDER NEGATIVE SUBSTRATE BIAS Full Text
AUTORES: CABARROCAS, PRI; MORIN, P; CHU, V; CONDE, JP ; LIU, JZ; PARK, HR; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 69, NÚMERO: 5
AUTORES: CABARROCAS, PRI; MORIN, P; CHU, V; CONDE, JP ; LIU, JZ; PARK, HR; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 69, NÚMERO: 5
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ORCID176
TÃTULO: In situ ellipsometric study of amorphous silicon/amorphous silicon-carbon interfaces Full Text
AUTORES: Chu, V; Fang, M; Drevillon, B;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Journal of Applied Physics, VOLUME: 69, NÚMERO: 5
AUTORES: Chu, V; Fang, M; Drevillon, B;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Journal of Applied Physics, VOLUME: 69, NÚMERO: 5
177
TÃTULO: An in situ ellipsometry study of amorphous silicon/amorphous germanium multilayers Full Text
AUTORES: Chu, V; Fang, M; Drevillon, B;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Journal of Applied Physics, VOLUME: 69, NÚMERO: 1
AUTORES: Chu, V; Fang, M; Drevillon, B;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Journal of Applied Physics, VOLUME: 69, NÚMERO: 1
178
TÃTULO: Growth-induced surface state in hydrogenated and fluorinated amorphous silicon Full Text
AUTORES: Maruyama, A; Liu, JZ; Chu, V; Shen, DS; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Journal of Applied Physics, VOLUME: 69, NÚMERO: 4
AUTORES: Maruyama, A; Liu, JZ; Chu, V; Shen, DS; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Journal of Applied Physics, VOLUME: 69, NÚMERO: 4
179
TÃTULO: Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon films deposited under negative substrate bias Full Text
AUTORES: Roca i Cabarrocas, P; Morin, P; Chu, V; Conde, JP; Liu, JZ; Park, HR; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 69, NÚMERO: 5
AUTORES: Roca i Cabarrocas, P; Morin, P; Chu, V; Conde, JP; Liu, JZ; Park, HR; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 69, NÚMERO: 5
180
TÃTULO: Improving tin oxide/hydrogenated amorphous silicon interfaces for solar cell applications Full Text
AUTORES: Roca i Cabarrocas, P; Ramprashad, S; Liu, JZ; Chu, V; Maruyama, A; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: Twenty First IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1990 Part 2 (of 2) in Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, VOLUME: 2
AUTORES: Roca i Cabarrocas, P; Ramprashad, S; Liu, JZ; Chu, V; Maruyama, A; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: Twenty First IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1990 Part 2 (of 2) in Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, VOLUME: 2
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