Alexandra Inês Sarabando de Carvalho
AuthID: R-000-K6Q
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TÃTULO: Future Higher Education in Tourism Studies and the Labor Market: Gender Perspectives on Expectations and Experiences Full Text
AUTORES: Costa, C; Carvalho, I; Cacador, S; Breda, Z;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: Journal of Teaching in Travel and Tourism, VOLUME: 12, NÚMERO: 1
AUTORES: Costa, C; Carvalho, I; Cacador, S; Breda, Z;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: Journal of Teaching in Travel and Tourism, VOLUME: 12, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Four-copper complexes in Si and the Cu-photoluminescence defect: A first-principles study
AUTORES: Carvalho, A; Backlund, DJ; Estreicher, SK;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 84, NÚMERO: 15
AUTORES: Carvalho, A; Backlund, DJ; Estreicher, SK;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 84, NÚMERO: 15
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TÃTULO: Influence of Ge content on the optical properties of X and W centers in dilute Si-Ge alloys
AUTORES: Leitao, JP ; Carvalho, A; Coutinho, J ; Pereira, RN ; Santos, NM; Ankiewicz, AO; Sobolev, NA; Barroso, M ; Lundsgaard L Hansen; Nylandsted N Larsen; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 84, NÚMERO: 16
AUTORES: Leitao, JP ; Carvalho, A; Coutinho, J ; Pereira, RN ; Santos, NM; Ankiewicz, AO; Sobolev, NA; Barroso, M ; Lundsgaard L Hansen; Nylandsted N Larsen; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 84, NÚMERO: 16
INDEXADO EM: 
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TÃTULO: Electronic structure modification of Si nanocrystals with F-4-TCNQ
AUTORES: Carvalho, A; Coutinho, J ; Barroso, M ; Silva, EL; Oberg, S; Rayson, M; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 84, NÚMERO: 12
AUTORES: Carvalho, A; Coutinho, J ; Barroso, M ; Silva, EL; Oberg, S; Rayson, M; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 84, NÚMERO: 12
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TÃTULO: The oxygen dimer in Si: Its relationship to the light-induced degradation of Si solar cells? Full Text
AUTORES: Murin, LI; Tolkacheva, EA; Markevich, VP; Peaker, AR; Hamilton, B; Monakhov, E; Svensson, BG; Lindstrom, JL; Santos, P; Coutinho, J ; Carvalho, A;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 98, NÚMERO: 18
AUTORES: Murin, LI; Tolkacheva, EA; Markevich, VP; Peaker, AR; Hamilton, B; Monakhov, E; Svensson, BG; Lindstrom, JL; Santos, P; Coutinho, J ; Carvalho, A;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 98, NÚMERO: 18
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TÃTULO: Tin-vacancy complex in germanium Full Text
AUTORES: Markevich, VP; Peaker, AR; Hamilton, B; Litvinov, VV; Yu. M Pokotilo; Lastovskii, SB; Coutinho, J ; Carvalho, A; Rayson, MJ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 109, NÚMERO: 8
AUTORES: Markevich, VP; Peaker, AR; Hamilton, B; Litvinov, VV; Yu. M Pokotilo; Lastovskii, SB; Coutinho, J ; Carvalho, A; Rayson, MJ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 109, NÚMERO: 8
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TÃTULO: Electronic structure of Zn, Cu and Ni impurities in germanium Full Text
AUTORES: Silva, EL; Coutinho, J ; Carvalho, A; Torres, VJB ; Barroso, M ; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 23, NÚMERO: 6
AUTORES: Silva, EL; Coutinho, J ; Carvalho, A; Torres, VJB ; Barroso, M ; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 23, NÚMERO: 6
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TÃTULO: Surface-phosphorus interaction in Si nanocrystals Full Text
AUTORES: Carvalho, A; Celikkol, B; Coutinho, J ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: International Conference on Extended Defects in Semiconductors, EDS 2010 in Journal of Physics: Conference Series, VOLUME: 281, NÚMERO: 1
AUTORES: Carvalho, A; Celikkol, B; Coutinho, J ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: International Conference on Extended Defects in Semiconductors, EDS 2010 in Journal of Physics: Conference Series, VOLUME: 281, NÚMERO: 1
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TÃTULO: When technology prevails and pedagogy survives
AUTORES: Carvalho, IS; Fonseca, JZ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: 2011 IEEE Global Engineering Education Conference, EDUCON 2011 in 2011 IEEE Global Engineering Education Conference, EDUCON 2011
AUTORES: Carvalho, IS; Fonseca, JZ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: 2011 IEEE Global Engineering Education Conference, EDUCON 2011 in 2011 IEEE Global Engineering Education Conference, EDUCON 2011
INDEXADO EM: Scopus 
CrossRef
Scopus CrossRef30
TÃTULO: Electronic structural details of donor-vacancy complexes in Si-doped Ge and Ge-doped Si Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Castro, F; Torres, VJB ; Carvalho, A; Barroso, M ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Symposium on Silicon and Germanium Issues for Future CMOS Devices held at the 2009 E-MRS Spring Meeting in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 518, NÚMERO: 9
AUTORES: Coutinho, J ; Castro, F; Torres, VJB ; Carvalho, A; Barroso, M ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Symposium on Silicon and Germanium Issues for Future CMOS Devices held at the 2009 E-MRS Spring Meeting in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 518, NÚMERO: 9
