Nuno Pedro Serras Lucas Nobre Franco
AuthID: R-000-KNV
51
TÃTULO: Influence of oxygen partial pressure on properties of N-doped ZnO films deposited by magnetron sputtering Full Text
AUTORES: Wang, JZ; Elangovan, E; Franco, N; Alvese, A; Rego, A ; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: TRANSACTIONS OF NONFERROUS METALS SOCIETY OF CHINA, VOLUME: 20, NÚMERO: 12
AUTORES: Wang, JZ; Elangovan, E; Franco, N; Alvese, A; Rego, A ; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: TRANSACTIONS OF NONFERROUS METALS SOCIETY OF CHINA, VOLUME: 20, NÚMERO: 12
INDEXADO EM: 
Scopus 
WOS
Scopus WOS52
TÃTULO: Single and polycrystalline mullite fibres grown by laser floating zone technique Full Text
AUTORES: Carvalho, RG; Fernandes, AJS; Oliveira, FJ ; Alves, E ; Franco, N; Louro, C ; Silva, RF ; Costa, FM ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY, VOLUME: 30, NÚMERO: 16
AUTORES: Carvalho, RG; Fernandes, AJS; Oliveira, FJ ; Alves, E ; Franco, N; Louro, C ; Silva, RF ; Costa, FM ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY, VOLUME: 30, NÚMERO: 16
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TÃTULO: Structural anisotropy of nonpolar and semipolar InN epitaxial layers Full Text
AUTORES: Darakchieva, V; Y Xie; Franco, N; Giuliani, F; Nunes, B; Alves, E ; Hsiao, CL; Chen, LC; Yamaguchi, T; Takagi, Y; Kawashima, K; Nanishi, Y;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 108, NÚMERO: 7
AUTORES: Darakchieva, V; Y Xie; Franco, N; Giuliani, F; Nunes, B; Alves, E ; Hsiao, CL; Chen, LC; Yamaguchi, T; Takagi, Y; Kawashima, K; Nanishi, Y;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 108, NÚMERO: 7
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TÃTULO: Damage recovery and optical activity in europium implanted wide gap oxides Full Text
AUTORES: Alves, E ; Marques, C; Franco, N; Alves, LC ; Peres, M; Soares, MJ ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 15th International Conference of the Radiation Effects in Insulators in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 268, NÚMERO: 19
AUTORES: Alves, E ; Marques, C; Franco, N; Alves, LC ; Peres, M; Soares, MJ ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 15th International Conference of the Radiation Effects in Insulators in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 268, NÚMERO: 19
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TÃTULO: Effect of annealing on AlN/GaN quantum dot heterostructures: Advanced ion beam characterization and X-ray study of low-dimensional structures Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Lorenz, K ; Franco, N; Barradas, NP ; Alves, E ; Monteiro, T ; Amstatt, B; Fellmann, V; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices in SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, VOLUME: 42, NÚMERO: 10-11
AUTORES: Magalhaes, S; Lorenz, K ; Franco, N; Barradas, NP ; Alves, E ; Monteiro, T ; Amstatt, B; Fellmann, V; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices in SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, VOLUME: 42, NÚMERO: 10-11
INDEXADO EM: Scopus WOS
Scopus WOS56
TÃTULO: Characterization of mesoporous ZnO:SiO2 films obtained by the sol-gel method Full Text
AUTORES: Martins, RMS ; Musat, V; Muecklich, A; Franco, N; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: THIN SOLID FILMS, VOLUME: 518, NÚMERO: 23
AUTORES: Martins, RMS ; Musat, V; Muecklich, A; Franco, N; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: THIN SOLID FILMS, VOLUME: 518, NÚMERO: 23
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TÃTULO: Al1-xInxN/GaN bilayers: Structure, morphology, and optical properties Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Magalhaes, S; Franco, N; Barradas, NP ; Darakchieva, V; Alves, E ; Pereira, S ; Correia, MR ; Munnik, F; Martin, RW; O'Donnell, KP; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: E-MRS Fall Meeting on Wide Band Gap II-VI and III-V Semiconductors in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 247, NÚMERO: 7
AUTORES: Lorenz, K ; Magalhaes, S; Franco, N; Barradas, NP ; Darakchieva, V; Alves, E ; Pereira, S ; Correia, MR ; Munnik, F; Martin, RW; O'Donnell, KP; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: E-MRS Fall Meeting on Wide Band Gap II-VI and III-V Semiconductors in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 247, NÚMERO: 7
58
TÃTULO: Optical and Structural Properties of an Eu Implanted Gallium Nitride Quantum Dots/Aluminium Nitride Superlattice
AUTORES: Peres, M; Neves, AJ ; Monteiro, T ; Magalhaes, S; Franco, N; Lorenz, K ; Alves, E ; Damilano, B; Massies, J; Dussaigne, A; Grandjean, N;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 2nd International Conference on Advanced Nano Materials in JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 10, NÚMERO: 4
AUTORES: Peres, M; Neves, AJ ; Monteiro, T ; Magalhaes, S; Franco, N; Lorenz, K ; Alves, E ; Damilano, B; Massies, J; Dussaigne, A; Grandjean, N;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 2nd International Conference on Advanced Nano Materials in JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 10, NÚMERO: 4
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TÃTULO: Influence of Deposition Pressure on N-doped ZnO Films by RF Magnetron Sputtering
AUTORES: Jinzhong Z Wang; Elangovan Elamurugu; Nuno Franco; Eduardo Alves ; Ana M B Botelho do Rego ; Goncalo Goncalves; Rodrigo Martins ; Elvira Fortunato ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 2nd International Conference on Advanced Nano Materials in JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 10, NÚMERO: 4
AUTORES: Jinzhong Z Wang; Elangovan Elamurugu; Nuno Franco; Eduardo Alves ; Ana M B Botelho do Rego ; Goncalo Goncalves; Rodrigo Martins ; Elvira Fortunato ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 2nd International Conference on Advanced Nano Materials in JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 10, NÚMERO: 4
60
TÃTULO: Cascade of Peritectic Reactions in the B-Fe-U System Full Text
AUTORES: Dias, M; Carvalho, PA ; Dias, AP; Bohn, M; Franco, N; Tougait, O; Noel, H; Goncalves, AP ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF PHASE EQUILIBRIA AND DIFFUSION, VOLUME: 31, NÚMERO: 2
AUTORES: Dias, M; Carvalho, PA ; Dias, AP; Bohn, M; Franco, N; Tougait, O; Noel, H; Goncalves, AP ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF PHASE EQUILIBRIA AND DIFFUSION, VOLUME: 31, NÚMERO: 2
