S. Niesar
AuthID: R-006-VXC
1
TÃTULO: Resonant Electronic Coupling Enabled by Small Molecules in Nanocrystal Solids Full Text
AUTORES: Rui N Pereira; Jose Coutinho; Sabrina Niesar; Tiago A Oliveira; Willi Aigner; Hartmut Wiggers; Mark J Rayson; Patrick R Briddon; Martin S Brandt; Martin Stutzmann;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: NANO LETTERS, VOLUME: 14, NÚMERO: 7
AUTORES: Rui N Pereira; Jose Coutinho; Sabrina Niesar; Tiago A Oliveira; Willi Aigner; Hartmut Wiggers; Mark J Rayson; Patrick R Briddon; Martin S Brandt; Martin Stutzmann;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: NANO LETTERS, VOLUME: 14, NÚMERO: 7
2
TÃTULO: Depassivation kinetics in crystalline silicon nanoparticles
AUTORES: Pereira, RN ; Niesar, S; Wiggers, H; Brandt, MS; Stutzmann, MS;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 88, NÚMERO: 15
AUTORES: Pereira, RN ; Niesar, S; Wiggers, H; Brandt, MS; Stutzmann, MS;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 88, NÚMERO: 15
3
TÃTULO: Low-Cost Post-Growth Treatments of Crystalline Silicon Nanoparticles Improving Surface and Electronic Properties Full Text
AUTORES: Sabrina Niesar; Rui N Pereira ; Andre R Stegner; Nadine Erhard; Marco Hoeb; Andrea Baumer; Hartmut Wiggers; Martin S Brandt; Martin Stutzmann;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, VOLUME: 22, NÚMERO: 6
AUTORES: Sabrina Niesar; Rui N Pereira ; Andre R Stegner; Nadine Erhard; Marco Hoeb; Andrea Baumer; Hartmut Wiggers; Martin S Brandt; Martin Stutzmann;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, VOLUME: 22, NÚMERO: 6
4
TÃTULO: Solution-Processed Networks of Silicon Nanocrystals: The Role of Internanocrystal Medium on Semiconducting Behavior
AUTORES: Pereira, RN ; Niesar, S; You, WB; da Cunha, AF ; Erhard, N; Stegner, AR; Wiggers, H; G Willinger; Stutzmann, M; Brandt, MS;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, VOLUME: 115, NÚMERO: 41
AUTORES: Pereira, RN ; Niesar, S; You, WB; da Cunha, AF ; Erhard, N; Stegner, AR; Wiggers, H; G Willinger; Stutzmann, M; Brandt, MS;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, VOLUME: 115, NÚMERO: 41
5
TÃTULO: Defect reduction in silicon nanoparticles by low-temperature vacuum annealing Full Text
AUTORES: Niesar, S; Stegner, AR; Pereira, RN ; Hoeb, M; Wiggers, H; Brandt, MS; Stutzmann, M;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 96, NÚMERO: 19
AUTORES: Niesar, S; Stegner, AR; Pereira, RN ; Hoeb, M; Wiggers, H; Brandt, MS; Stutzmann, M;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 96, NÚMERO: 19
