Nebiha Ben Sedrine
AuthID: R-000-XEG
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TÃTULO: Photoluminescence studies of a perceived white light emission from a monolithic InGaN/GaN quantum well structure Full Text
AUTORES: Ben Sedrine, N; Esteves, TC; Rodrigues, J; Rino, L; Correia, MR; Sequeira, MC; Neves, AJ; Alves, E; Bockowski, M; Edwards, PR; O'Donnell, KP; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: SCIENTIFIC REPORTS, VOLUME: 5
AUTORES: Ben Sedrine, N; Esteves, TC; Rodrigues, J; Rino, L; Correia, MR; Sequeira, MC; Neves, AJ; Alves, E; Bockowski, M; Edwards, PR; O'Donnell, KP; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: SCIENTIFIC REPORTS, VOLUME: 5
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TÃTULO: Infrared dielectric functions and optical phonons of wurtzite YxAl1-xN (0 <= x <= 0.22) Full Text
AUTORES: Ben Sedrine, N; Zukauskaite, A; Birch, J; Jensen, J; Hultman, L; Schoeche, S; Schubert, M; Darakchieva, V;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 48, NÚMERO: 41
AUTORES: Ben Sedrine, N; Zukauskaite, A; Birch, J; Jensen, J; Hultman, L; Schoeche, S; Schubert, M; Darakchieva, V;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 48, NÚMERO: 41
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TÃTULO: GaN:Pr3+ nanostructures for red solid state light emission
AUTORES: Rodrigues, J; Ben Sedrine, N; Felizardo, M ; Soares, MJ; Alves, E; Neves, AJ; Fellmann, V; Tourbot, G; Auzelle, T; Daudin, B; Bockowski, M; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: RSC ADVANCES, VOLUME: 4, NÚMERO: 108
AUTORES: Rodrigues, J; Ben Sedrine, N; Felizardo, M ; Soares, MJ; Alves, E; Neves, AJ; Fellmann, V; Tourbot, G; Auzelle, T; Daudin, B; Bockowski, M; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: RSC ADVANCES, VOLUME: 4, NÚMERO: 108
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TÃTULO: Bandgap Engineering and Optical Constants of YxAl1-xN Alloys
AUTORES: Nebiha Ben Sedrine; Agne Zukauskaite; Jens Birch; Lars Hultman; Vanya Darakchieva;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 52, NÚMERO: 8
AUTORES: Nebiha Ben Sedrine; Agne Zukauskaite; Jens Birch; Lars Hultman; Vanya Darakchieva;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 52, NÚMERO: 8
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TÃTULO: Spectroscopic ellipsometry of AP-MOVPE-grown GaAs1−xBix dilute alloys
AUTORES: Ben Sedrine, N;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: Springer Series in Materials Science, VOLUME: 186
AUTORES: Ben Sedrine, N;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: Springer Series in Materials Science, VOLUME: 186
INDEXADO EM: 
Scopus
Scopus16
TÃTULO: Temperature dependent effective mass in AlGaN/GaN high electron mobility transistor structures Full Text
AUTORES: Hofmann, T; Kuehne, P; Schoeche, S; Jr Tai Chen; Forsberg, U; Janzen, E; Ben Sedrine, N; Herzinger, CM; Woollam, JA; Schubert, M; Darakchieva, V;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 101, NÚMERO: 19
AUTORES: Hofmann, T; Kuehne, P; Schoeche, S; Jr Tai Chen; Forsberg, U; Janzen, E; Ben Sedrine, N; Herzinger, CM; Woollam, JA; Schubert, M; Darakchieva, V;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 101, NÚMERO: 19
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TÃTULO: YxAl1-xN thin films Full Text
AUTORES: Agne Zukauskaite; Christopher Tholander; Justinas Palisaitis; Per O A Persson; Vanya Darakchieva; Nebiha Ben Sedrine; Ferenc Tasnadi; Bjorn Alling; Jens Birch; Lars Hultman;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 45, NÚMERO: 42
AUTORES: Agne Zukauskaite; Christopher Tholander; Justinas Palisaitis; Per O A Persson; Vanya Darakchieva; Nebiha Ben Sedrine; Ferenc Tasnadi; Bjorn Alling; Jens Birch; Lars Hultman;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 45, NÚMERO: 42
INDEXADO EM: Scopus 
WOS
Scopus WOS18
TÃTULO: Y x Al 1− x N thin films Full Text
AUTORES: Agnė Žukauskaitė; Christopher Tholander; Justinas Palisaitis; Per O Å Persson; Vanya Darakchieva; Nebiha Ben Sedrine; Ferenc Tasnádi; Björn Alling; Jens Birch; Lars Hultman;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics - J. Phys. D: Appl. Phys., VOLUME: 45, NÚMERO: 42
AUTORES: Agnė Žukauskaitė; Christopher Tholander; Justinas Palisaitis; Per O Å Persson; Vanya Darakchieva; Nebiha Ben Sedrine; Ferenc Tasnádi; Björn Alling; Jens Birch; Lars Hultman;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics - J. Phys. D: Appl. Phys., VOLUME: 45, NÚMERO: 42
INDEXADO EM: 
CrossRef
CrossRef19
TÃTULO: Infrared ellipsometry and near-infrared-to-vacuum-ultraviolet ellipsometry study of free-charge carrier properties in In-polar p-type InN
AUTORES: Stefan Schöche; Tino Hofmann; Nebiha Ben Sedrine; Vanya Darakchieva; Xinqiang Wang; Akihiko Yoshikawa; Mathias Schubert;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: MRS Proc. - MRS Proceedings, VOLUME: 1396
AUTORES: Stefan Schöche; Tino Hofmann; Nebiha Ben Sedrine; Vanya Darakchieva; Xinqiang Wang; Akihiko Yoshikawa; Mathias Schubert;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: MRS Proc. - MRS Proceedings, VOLUME: 1396
INDEXADO EM: CrossRef
CrossRef20
TÃTULO: Optical properties of GaAs0.9-xNxSb0.1 alloy films studied by spectroscopic ellipsometry Full Text
AUTORES: Ben Sedrine, N; Bouhafs, C; Schubert, M; Harmand, JC; Chtourou, R; Darakchieva, V;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: 5th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 519, NÚMERO: 9
AUTORES: Ben Sedrine, N; Bouhafs, C; Schubert, M; Harmand, JC; Chtourou, R; Darakchieva, V;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: 5th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 519, NÚMERO: 9
