201
TÍTULO: Quantitative x-ray diffraction analysis of bimodal damage distributions in Tm implanted Al 0.15 Ga 0.85 N   Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Fialho, M; Peres, M; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics - J. Phys. D: Appl. Phys., VOLUME: 49, NÚMERO: 13
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202
TÍTULO: Impact of implantation geometry and fluence on structural properties of AlxGa1-xN implanted with thulium  Full Text
AUTORES: Fialho, M; Magalhaes, S; Chauvat, MP; Ruterana, P; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 120, NÚMERO: 16
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203
TÍTULO: High Orbital Angular Momentum Harmonic Generation
AUTORES: Vieira, J; Trines, RMGM; Alves, EP; Fonseca, RA; Mendonca, JT; Bingham, R; Norreys, P; Silva, LO;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: PHYSICAL REVIEW LETTERS, VOLUME: 117, NÚMERO: 26
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 66 Handle
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204
TÍTULO: The role and application of ion beam analysis for studies of plasma-facing components in controlled fusion devices
AUTORES: Rubel, M; Petersson, P; Alves, E; Brezinsek, S; Coad, JP; Heinola, K; Mayer, M; Widdowson, A;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 371
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205
TÍTULO: Electrical insulation properties of RF-sputtered LiPON layers towards electrochemical stability of lithium batteries
AUTORES: Vieira, EMF; Ribeiro, JF; Silva, MM; Barradas, NP; Alves, E; Alves, A; Correia, MR; Goncalves, LM;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 49, NÚMERO: 48
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 7 Handle
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206
TÍTULO: Correction to "Spectroscopic Analysis of Eu 3+ Implanted and Annealed GaN Layers and Nanowires"
AUTORES: Rodrigues, J; Leitão, MF; Carreira, JFC; Ben Sedrine, N; Santos, NF; Felizardo, M ; Auzelle, T; Daudin, B; Alves, E; Neves, AJ; Correia, MR; Costa, FM; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Physical Chemistry C, VOLUME: 120, NÚMERO: 12
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207
TÍTULO: Composition, structure and morphology of Al1-xInxN thin films grown on Al1-yGayN templates with different GaN contents  Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Watson, IM; Pereira, S; Franco, N; Tan, LT; Martin, RW; O'Donnell, KP; Alves, E; Araujo, JP ; Monteiro, T; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 48, NÚMERO: 1
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208
TÍTULO: Electrochemical and structural characterization of nanocomposite Ag-y:TiNx thin films for dry bioelectrodes: the effect of the N/Ti ratio and Ag content  Full Text
AUTORES: Pedrosa, P; Machado, D; Fiedler, P; Alves, E; Barradas, NP; Haueisen, J; Vaz, F; Fonseca, C ;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: ELECTROCHIMICA ACTA, VOLUME: 153
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 9
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209
TÍTULO: Evolution of the functional properties of titanium-silver thin films for biomedical applications: Influence of in-vacuum annealing  Full Text
AUTORES: Lopes, C; Goncalves, C; Borges, J; Polcar, T; Rodrigues, MS; Barradas, NP; Alves, E; Le Bourhis, E; Couto, FM; Macedo, F; Fonseca, C ; Vaz, F;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, VOLUME: 261
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210
TÍTULO: Determination of the Be-9(He-3,p(i))B-11 (i=0,1,2,3) cross section at 135 degrees in the energy range 1-2.5 MeV  Full Text
AUTORES: Barradas, NP; Catarino, N; Mateus, R; Magalhaes, S; Alves, E; Siketic, Z; Bogdanovic B Radovic;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 346
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