Eduardo Jorge da Costa Alves
AuthID: R-000-4EK
271
TÃTULO: Intense luminescence emission from rare-earth-doped MoO3 nanoplates and lamellar crystals for optoelectronic applications Full Text
AUTORES: Vila, M; Diaz Guerra, C; Jerez, D; Lorenz, K; Piqueras, J; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 47, NÚMERO: 35
AUTORES: Vila, M; Diaz Guerra, C; Jerez, D; Lorenz, K; Piqueras, J; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 47, NÚMERO: 35
272
TÃTULO: Structural and optical properties of Ga auto-incorporated InAlN epilayers Full Text
AUTORES: Taylor, E; Smith, MD; Sadler, TC; Lorenz, K; Li, HN; Alves, E; Parbrook, PJ; Martin, RW;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 408
AUTORES: Taylor, E; Smith, MD; Sadler, TC; Lorenz, K; Li, HN; Alves, E; Parbrook, PJ; Martin, RW;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 408
273
TÃTULO: GaN:Pr3+ nanostructures for red solid state light emission
AUTORES: Rodrigues, J; Ben Sedrine, N; Felizardo, M ; Soares, MJ; Alves, E; Neves, AJ; Fellmann, V; Tourbot, G; Auzelle, T; Daudin, B; Bockowski, M; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: RSC ADVANCES, VOLUME: 4, NÚMERO: 108
AUTORES: Rodrigues, J; Ben Sedrine, N; Felizardo, M ; Soares, MJ; Alves, E; Neves, AJ; Fellmann, V; Tourbot, G; Auzelle, T; Daudin, B; Bockowski, M; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: RSC ADVANCES, VOLUME: 4, NÚMERO: 108
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TÃTULO: High In-content InGaN layers synthesized by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Growth conditions, strain relaxation, and In incorporation kinetics Full Text
AUTORES: Valdueza Felip, S; Bellet Amalric, E; Nunez Cascajero, A; Wang, Y; P Chauvat; Ruterana, P; Pouget, S; Lorenz, K; Alves, E; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 116, NÚMERO: 23
AUTORES: Valdueza Felip, S; Bellet Amalric, E; Nunez Cascajero, A; Wang, Y; P Chauvat; Ruterana, P; Pouget, S; Lorenz, K; Alves, E; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 116, NÚMERO: 23
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WOS
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ORCID275
TÃTULO: High In-content InGaN layers synthesized by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Growth conditions, strain relaxation, and In incorporation kinetics Full Text
AUTORES: Valdueza-Felip, S; Bellet-Amalric, E; Núñez-Cascajero, A; Wang, Y; M.-P Chauvat; Ruterana, P; Pouget, S; Lorenz, K; Alves, E; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 116, NÚMERO: 23
AUTORES: Valdueza-Felip, S; Bellet-Amalric, E; Núñez-Cascajero, A; Wang, Y; M.-P Chauvat; Ruterana, P; Pouget, S; Lorenz, K; Alves, E; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 116, NÚMERO: 23
276
TÃTULO: CHARACTERIZATION OF GaInSb CRYSTAL OBTAINED BY CZOCHRALSKI METHOD
AUTORES: Morgana Streicher; Victoria Corrigidor; L.C. Alves; N. Franco; E. Alves; Eleani M da Costa; Berenice A Dedavid;
PUBLICAÇÃO: 2014
AUTORES: Morgana Streicher; Victoria Corrigidor; L.C. Alves; N. Franco; E. Alves; Eleani M da Costa; Berenice A Dedavid;
PUBLICAÇÃO: 2014
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Handle
Handle277
TÃTULO: Meshless analysis of shear deformable shells: the linear model Full Text
AUTORES: Jorge C Costa; Carlos M Tiago ; Paulo M Pimenta;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: COMPUTATIONAL MECHANICS, VOLUME: 52, NÚMERO: 4
AUTORES: Jorge C Costa; Carlos M Tiago ; Paulo M Pimenta;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: COMPUTATIONAL MECHANICS, VOLUME: 52, NÚMERO: 4
278
TÃTULO: N-glycosylation analysis by HPAEC-PAD and mass spectrometry
AUTORES: Kandzia, S; Costa, J;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: Methods in Molecular Biology, VOLUME: 1049
AUTORES: Kandzia, S; Costa, J;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: Methods in Molecular Biology, VOLUME: 1049
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Scopus CrossRef279
TÃTULO: Studies on deuterium retention in W-Ta based materials
AUTORES: Dias, M; Mateus, R; Catarino, N; Livramento, V; Correia, JB; Carvalho, PA; Hanada, K; Pinhao, N; Barquinha, P; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: Microscopy and Microanalysis, VOLUME: 19, NÚMERO: SUPPL.4
AUTORES: Dias, M; Mateus, R; Catarino, N; Livramento, V; Correia, JB; Carvalho, PA; Hanada, K; Pinhao, N; Barquinha, P; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: Microscopy and Microanalysis, VOLUME: 19, NÚMERO: SUPPL.4
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Scopus CrossRef280
TÃTULO: Temperature-Dependent Hysteresis of the Emission Spectrum of Eu-implanted, Mg-doped HVPE GaN Full Text
AUTORES: O'Donnell, KP; Martin, RW; Edwards, PR; Lorenz, K; Alves, E; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) in PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, VOLUME: 1566
AUTORES: O'Donnell, KP; Martin, RW; Edwards, PR; Lorenz, K; Alves, E; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) in PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, VOLUME: 1566
