Eduardo Jorge da Costa Alves
AuthID: R-000-4EK
291
TÃTULO: The photoluminescence/excitation (PL/E) spectroscopy of Eu-implanted GaN Full Text
AUTORES: K.P O’Donnell; I.S Roqan; Ke Wang; Lorenz, K; Alves, E; Boćkowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Optical Materials, VOLUME: 33, NÚMERO: 7
AUTORES: K.P O’Donnell; I.S Roqan; Ke Wang; Lorenz, K; Alves, E; Boćkowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Optical Materials, VOLUME: 33, NÚMERO: 7
292
TÃTULO: Optimization Of A Mass Spectrometry Process
AUTORES: José Lopes ; Corre^a C Alegria; Luís Redondo; Barradas, NP; Alves, E; Jorge Rocha; Floyd D McDaniel; Barney L Doyle;
PUBLICAÇÃO: 2011
AUTORES: José Lopes ; Corre^a C Alegria; Luís Redondo; Barradas, NP; Alves, E; Jorge Rocha; Floyd D McDaniel; Barney L Doyle;
PUBLICAÇÃO: 2011
293
TÃTULO: <title>Radiation damage formation and annealing in GaN and ZnO</title>
AUTORES: Lorenz, K; Peres, M; Franco, N; Marques, JG; Miranda, SMC; Magalhães, S; Monteiro, T; Wesch, W; Alves, E; Wendler, E;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Oxide-based Materials and Devices II
AUTORES: Lorenz, K; Peres, M; Franco, N; Marques, JG; Miranda, SMC; Magalhães, S; Monteiro, T; Wesch, W; Alves, E; Wendler, E;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Oxide-based Materials and Devices II
294
TÃTULO: <title>Optical properties of AlN<formula><inf><roman>x</roman></inf></formula>O<formula><inf><roman>y</roman></inf></formula> thin films deposited by DC magnetron sputtering</title>
AUTORES: Borges, J; Alves, E; Vaz, F; Marques, L;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: International Conference on Applications of Optics and Photonics
AUTORES: Borges, J; Alves, E; Vaz, F; Marques, L;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: International Conference on Applications of Optics and Photonics
295
TÃTULO: Effect of annealing on AlN/GaN quantum dot heterostructures: advanced ion beam characterization and X-ray study of low-dimensional structures Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Lorenz, K; Franco, N; Barradas, NP; Alves, E; Monteiro, T; Amstatt, B; Fellmann, V; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Surface and Interface Analysis - Surf. Interface Anal., VOLUME: 42, NÚMERO: 10-11
AUTORES: Magalhães, S; Lorenz, K; Franco, N; Barradas, NP; Alves, E; Monteiro, T; Amstatt, B; Fellmann, V; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Surface and Interface Analysis - Surf. Interface Anal., VOLUME: 42, NÚMERO: 10-11
296
TÃTULO: Stopping power of 11B in Si and TiO2 measured with a bulk sample method and Bayesian inference data analysis Full Text
AUTORES: Siketić, Z; Bogdanović Radović, I; Alves, E; N.P Barradas;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 268, NÚMERO: 11-12
AUTORES: Siketić, Z; Bogdanović Radović, I; Alves, E; N.P Barradas;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 268, NÚMERO: 11-12
297
TÃTULO: Effects of Mg-ion implantation in α-Al2O3 and α-Al2O3:Mg crystals: Electrical conductivity and electronic structure changes Full Text
AUTORES: Tardío, M; Colera, I; Ramírez, R; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 268, NÚMERO: 19
AUTORES: Tardío, M; Colera, I; Ramírez, R; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 268, NÚMERO: 19
298
TÃTULO: Functionalizing self-assembled GaN quantum dot superlattices by Eu-implantation Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Peres, M; Fellmann, V; Daudin, B; Neves, AJ; Alves, E; Monteiro, T; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 108, NÚMERO: 8
AUTORES: Magalhães, S; Peres, M; Fellmann, V; Daudin, B; Neves, AJ; Alves, E; Monteiro, T; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 108, NÚMERO: 8
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TÃTULO: Depth-resolved analysis of spontaneous phase separation in the growth of lattice-matched AlInN Full Text
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K; Gago, R; Franco, N; M-A di Forte Poisson; Alves, E; Muñoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics - J. Phys. D: Appl. Phys., VOLUME: 43, NÚMERO: 5
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K; Gago, R; Franco, N; M-A di Forte Poisson; Alves, E; Muñoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics - J. Phys. D: Appl. Phys., VOLUME: 43, NÚMERO: 5
300
TÃTULO: High Mobility a-IGO Films Produced at Room Temperature and Their Application in TFTs
AUTORES: Gonçalves, G; Barquinha, P; Pereira, L; Franco, N; Alves, E; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Electrochemical and Solid-State Letters - Electrochem. Solid-State Lett., VOLUME: 13, NÚMERO: 1
AUTORES: Gonçalves, G; Barquinha, P; Pereira, L; Franco, N; Alves, E; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Electrochemical and Solid-State Letters - Electrochem. Solid-State Lett., VOLUME: 13, NÚMERO: 1
