Robert Francis Jones
AuthID: R-001-FHB
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TÃTULO: Energy levels of atomic hydrogen in germanium from ab-initio calculations Full Text
AUTORES: Almeida, LM; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Germanium-Based Semiconductors from Materials to Devices held at the 2006 EMRS Spring Meeting in MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 9, NÚMERO: 4-5
AUTORES: Almeida, LM; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Germanium-Based Semiconductors from Materials to Devices held at the 2006 EMRS Spring Meeting in MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 9, NÚMERO: 4-5
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TÃTULO: Vacancy-dioxygen centers in Si-rich SiGe alloys Full Text
AUTORES: Khirunenko, LI; Yu. V Pomozov; Sosnin, MG; Trypachko, MO; Torres, VJB ; Coutinho, J ; Jones, R; Briddon, PR; Abrosimov, NV; Riemann, H;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Germanium-Based Semiconductors from Materials to Devices held at the 2006 EMRS Spring Meeting in MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 9, NÚMERO: 4-5
AUTORES: Khirunenko, LI; Yu. V Pomozov; Sosnin, MG; Trypachko, MO; Torres, VJB ; Coutinho, J ; Jones, R; Briddon, PR; Abrosimov, NV; Riemann, H;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Germanium-Based Semiconductors from Materials to Devices held at the 2006 EMRS Spring Meeting in MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 9, NÚMERO: 4-5
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TÃTULO: Ab initio study of CsI and its surface
AUTORES: Ribeiro, RM; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Sque, SJ; Oberg, S; Shaw, MJ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 74, NÚMERO: 3
AUTORES: Ribeiro, RM; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Sque, SJ; Oberg, S; Shaw, MJ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 74, NÚMERO: 3
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TÃTULO: First-principles investigation of a bistable boron-oxygen interstitial pair in Si
AUTORES: Carvalho, A; Jones, R; Sanati, M; Estreicher, SK; Coutinho, J ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 73, NÚMERO: 24
AUTORES: Carvalho, A; Jones, R; Sanati, M; Estreicher, SK; Coutinho, J ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 73, NÚMERO: 24
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TÃTULO: Donor-vacancy complexes in Ge: Cluster and supercell calculations
AUTORES: Coutinho, J ; Oberg, S; Torres, VJB ; Barroso, M ; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 73, NÚMERO: 23
AUTORES: Coutinho, J ; Oberg, S; Torres, VJB ; Barroso, M ; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 73, NÚMERO: 23
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TÃTULO: Early SiO2 precipitates in Si: Vacancy-oxygen versus interstitial-oxygen clusters Full Text
AUTORES: Torres, VJB ; Coutinho, J ; Jones, R; Barroso, M ; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 23rd International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 376, NÚMERO: 1
AUTORES: Torres, VJB ; Coutinho, J ; Jones, R; Barroso, M ; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 23rd International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 376, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Theory of anharmonicity on bond-centered hydrogen oscillators in silicon Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Torres, VJB ; Pereira, RN ; Nielsen, BB; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 23rd International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 376, NÚMERO: 1
AUTORES: Coutinho, J ; Torres, VJB ; Pereira, RN ; Nielsen, BB; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 23rd International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 376, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Calculation of deep carrier traps in a divacancy in germanium crystals Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Carvalho, A; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 88, NÚMERO: 9
AUTORES: Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Carvalho, A; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 88, NÚMERO: 9
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TÃTULO: Local vibrations of substitutional carbon in SiGe alloys
AUTORES: Khirunenko, L; Pomozov, Y; Sosnin, M; Torres, VJB ; Coutinho, J ; Jones, R; Abrosimov, NV; Riemann, H; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 3rd International Materials Symposium/12th Meeting of the Sociedad-Portuguesa-da-Materials (Materials 2005/SPM) in ADVANCED MATERIALS FORUM III, PTS 1 AND 2, VOLUME: 514-516, NÚMERO: PART 1
AUTORES: Khirunenko, L; Pomozov, Y; Sosnin, M; Torres, VJB ; Coutinho, J ; Jones, R; Abrosimov, NV; Riemann, H; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 3rd International Materials Symposium/12th Meeting of the Sociedad-Portuguesa-da-Materials (Materials 2005/SPM) in ADVANCED MATERIALS FORUM III, PTS 1 AND 2, VOLUME: 514-516, NÚMERO: PART 1
INDEXADO EM: 
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WOS
Scopus WOS30
TÃTULO: Electronic structure and Jahn-Teller instabilities in a single vacancy in Ge Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Jones, R; Torres, VJB ; Barroso, M ; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 17, NÚMERO: 48
AUTORES: Coutinho, J ; Jones, R; Torres, VJB ; Barroso, M ; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 17, NÚMERO: 48
