1
TÍTULO: Validity of Vegard's rule for Al1-xInxN (0.08 < x < 0.28) thin films grown on GaN templates  Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Franco, N; Watson, IM; Martin, RW; O'Donnell, KP; Schenk, HPD; Tang, F; Sadler, TC; Kappers, MJ; Oliver, RA; Monteiro, T; Martin, TL; Bagot, PAJ; Moody, MP; Alves, E; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 50, NÚMERO: 20
INDEXADO EM: WOS
2
TÍTULO: Electrostatic mechanism of strong enhancement of light emitted by semiconductor quantum wells due to the incorporation of metallic nanocrystals
AUTORES: Pereira, S; Trindade, T; Martins, MA; Watson, IM; Krokhin, AA; Neogi, A; Llopis, A;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: CLEO: Applications and Technology, CLEO AT 2016 in Optics InfoBase Conference Papers
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3
TÍTULO: Composition, structure and morphology of Al1-xInxN thin films grown on Al1-yGayN templates with different GaN contents  Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Watson, IM; Pereira, S; Franco, N; Tan, LT; Martin, RW; O'Donnell, KP; Alves, E; Araujo, JP ; Monteiro, T; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 48, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 7
4
TÍTULO: Electrostatic enhancement of light emitted by semiconductor quantum well  Full Text
AUTORES: Krokhin, A; Neogi, A; Llopis, A; Mahat, M; Gumen, L; Pereira, S; Watson, I;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: 19th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON '19) in 19TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DYNAMICS IN SEMICONDUCTORS, OPTOELECTRONICS AND NANOSTRUCTURES (EDISON' 19), VOLUME: 647, NÚMERO: 1
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6
TÍTULO: Comparison of electrostatic and localized plasmon induced light enhancement in hybrid InGaN/GaN quantum wells  Full Text
AUTORES: Jie Lin; Antonio Llopis; Arkadii Krokhin; Sergio Pereira; Ian M Watson; Arup Neogi;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 104, NÚMERO: 24
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
7
TÍTULO: Characterisation of III-nitride materials by synchrotron X-ray microdiffraction reciprocal space mapping  Full Text
AUTORES: Vyacheslav Kachkanov; Igor Dolbnya; Kevin O'Donnell; Katharina Lorenz ; Sergio Pereira ; Ian Watson; Thomas Sadler; Haoning N Li; Vitaly Zubialevich; Peter Parbrook;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN) in PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 3, VOLUME: 10, NÚMERO: 3
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8
TÍTULO: Carrier-induced nonlinearities in InGaN/GaN quantum wells with V-pits
AUTORES: Meg Mahat; Antonio Llopis; Richard D Schaller; Ian Watson; Sergio Periera; Arup Neogi;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: MRS COMMUNICATIONS, VOLUME: 2, NÚMERO: 2
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9
TÍTULO: Characterization of InGaN and InAlN epilayers by microdiffraction X-ray reciprocal space mapping
AUTORES: Kachkanov, V; Dolbnya, IP; O'Donnell, KP; Lorenz, K ; Pereira, S ; Martin, RW; Edwards, PR; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: 2011 MRS Fall Meeting in Materials Research Society Symposium Proceedings, VOLUME: 1396
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10
TÍTULO: Nano-scale strain mapping using near-field spectroscopy
AUTORES: Llopis, A; Pereira, SMS ; Watson, IM; Krokhin, ; Neogi, A;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: CLEO: Science and Innovations, CLEO_SI 2011 in Optics InfoBase Conference Papers
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