Ian M. Watson
AuthID: R-001-HZX
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TÃTULO: Rare earth doping of III-nitride alloys by ion implantation Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Alves, E ; Roqan, IS; Martin, RW; Trager Cowan, C; O'Donnell, KP; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 2nd Workshop on Impurity Based Electroluminescent Devices and Materials (IBEDM 2006) in PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 205, NÚMERO: 1
AUTORES: Lorenz, K ; Alves, E ; Roqan, IS; Martin, RW; Trager Cowan, C; O'Donnell, KP; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 2nd Workshop on Impurity Based Electroluminescent Devices and Materials (IBEDM 2006) in PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 205, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Luminescence spectroscopy of Eu-implanted zincblende GaN Full Text
AUTORES: Roqan, IS; O'Donnell, KP; Trager Cowan, C; Hourahine, B; Martin, RW; Lorenz, K ; Alves, E ; As, DJ; Panfilova, M; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 245, NÚMERO: 1
AUTORES: Roqan, IS; O'Donnell, KP; Trager Cowan, C; Hourahine, B; Martin, RW; Lorenz, K ; Alves, E ; As, DJ; Panfilova, M; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 245, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Mechanisms of AlInN growth by MOVPE: modeling and experimental study Full Text
AUTORES: Yakovlev, EV; Lobanova, AV; Talalaev, RA; Watson, IM; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7) in PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 6, VOLUME: 5, NÚMERO: 6
AUTORES: Yakovlev, EV; Lobanova, AV; Talalaev, RA; Watson, IM; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7) in PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 6, VOLUME: 5, NÚMERO: 6
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TÃTULO: Erratum: Efficient dipole-dipole coupling of Mott-Wannier and Frenkel excitons in (Ga,In)N quantum well/polyfluorene semiconductor heterostructures (Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics (2007) 76, (035344))
AUTORES: Itskos, G; Heliotis, G; Lagoudakis, PG; Lupton, J; Barradas, NP ; Alves, E ; Pereira, S; Watson, IM; Dawson, MD; Feldmann, J; Murray, R; Bradley, DDC;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, VOLUME: 77, NÚMERO: 7
AUTORES: Itskos, G; Heliotis, G; Lagoudakis, PG; Lupton, J; Barradas, NP ; Alves, E ; Pereira, S; Watson, IM; Dawson, MD; Feldmann, J; Murray, R; Bradley, DDC;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, VOLUME: 77, NÚMERO: 7
INDEXADO EM: 
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TÃTULO: Blue cathodoluminescence from thulium implanted AlxGa1-xN and InxAl1-xN Full Text
AUTORES: Roqan, IS; Lorenz, K ; O'Donnell, KP; Trager Cowan, C; Martin, RW; Watson, IM; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Material Science and Technology of Wide Bandgap Semiconductors held at the 2006 Spring Meeting of the EMRS in SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 40, NÚMERO: 4-6
AUTORES: Roqan, IS; Lorenz, K ; O'Donnell, KP; Trager Cowan, C; Martin, RW; Watson, IM; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Material Science and Technology of Wide Bandgap Semiconductors held at the 2006 Spring Meeting of the EMRS in SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 40, NÚMERO: 4-6
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TÃTULO: Cathodoluminescence of rare earth implanted AlInN Full Text
AUTORES: Wang, K; Martin, RW; Nogales, E; Edwards, PR; O'Donnell, KP; Lorenz, K ; Alves, E ; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 89, NÚMERO: 13
AUTORES: Wang, K; Martin, RW; Nogales, E; Edwards, PR; O'Donnell, KP; Lorenz, K ; Alves, E ; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 89, NÚMERO: 13
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TÃTULO: Anomalous ion channeling in AlInN/GaN bilayers: Determination of the strain state
AUTORES: Lorenz, K ; Franco, N; Alves, E ; Watson, IM; Martin, RW; O'Donnell, KP;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW LETTERS, VOLUME: 97, NÚMERO: 8
AUTORES: Lorenz, K ; Franco, N; Alves, E ; Watson, IM; Martin, RW; O'Donnell, KP;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW LETTERS, VOLUME: 97, NÚMERO: 8
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TÃTULO: Depth profiling of ion-implanted AlInN using time-of-flight secondary ion mass spectrometry and cathodoluminescence Full Text
AUTORES: Martin, RW; Rading, D; Kersting, R; Tallarek, E; Nogales, E; Amabile, D; Wang, K; Katchkanov, V; Trager Cowan, C; O'Donnell, KP; Watson, IM; Matias, V; Vantomme, A; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6) in Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics, Vol 3, No 6, VOLUME: 3, NÚMERO: 6
AUTORES: Martin, RW; Rading, D; Kersting, R; Tallarek, E; Nogales, E; Amabile, D; Wang, K; Katchkanov, V; Trager Cowan, C; O'Donnell, KP; Watson, IM; Matias, V; Vantomme, A; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6) in Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics, Vol 3, No 6, VOLUME: 3, NÚMERO: 6
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TÃTULO: Optical studies on the red luminescence of InGaN epilayers Full Text
AUTORES: Correia, MR ; Pereira, S ; Pereira, E; Ferreira, RAS ; Frandon, J; Alves, E ; Watson, IM; Liu, C; Morel, A; Gil, B;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Meeting of the European-Materials-Research-Society in SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 36, NÚMERO: 4-6
AUTORES: Correia, MR ; Pereira, S ; Pereira, E; Ferreira, RAS ; Frandon, J; Alves, E ; Watson, IM; Liu, C; Morel, A; Gil, B;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Meeting of the European-Materials-Research-Society in SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 36, NÚMERO: 4-6
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TÃTULO: Direct evidence for strain inhomogeneity in InxGa1-xN epilayers by Raman spectroscopy Full Text
AUTORES: Correia, MR ; Pereira, S ; Pereira, E; Frandon, J; Watson, IM; Liu, C; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 85, NÚMERO: 12
AUTORES: Correia, MR ; Pereira, S ; Pereira, E; Frandon, J; Watson, IM; Liu, C; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 85, NÚMERO: 12
