Ian M. Watson
AuthID: R-001-HZX
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TÃTULO: Roughness in GaN/InGaN films and multilayers determined with Rutherford backscattering Full Text
AUTORES: Barradas, NP ; Alves, E ; Pereira, S ; Shvartsman, VV; Kholkin, AL ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Liu, C; Deatcher, CJ; Watson, IM; Mayer, M;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 217, NÚMERO: 3
AUTORES: Barradas, NP ; Alves, E ; Pereira, S ; Shvartsman, VV; Kholkin, AL ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Liu, C; Deatcher, CJ; Watson, IM; Mayer, M;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 217, NÚMERO: 3
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TÃTULO: In situ optical reflectometry applied to growth of indium gallium nitride epilayers and multi-quantum well structures Full Text
AUTORES: Deatcher, CJ; Liu, C; Pereira, S ; Lada, M; Cullis, AG; Sun, YJ; Brandt, O; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 18, NÚMERO: 4
AUTORES: Deatcher, CJ; Liu, C; Pereira, S ; Lada, M; Cullis, AG; Sun, YJ; Brandt, O; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 18, NÚMERO: 4
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TÃTULO: Strain and composition distributions in wurtzite InGaN/GaN layers extracted from x-ray reciprocal space mapping (vol 80, pg 3913, 2002) Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; Watson, IM; Deatcher, CJ;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 81, NÚMERO: 18
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; Watson, IM; Deatcher, CJ;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 81, NÚMERO: 18
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TÃTULO: Depth profiling InGaN/GaN multiple quantum wells by Rutherford backscattering: The role of intermixing Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Pereira, E; Alves, E ; Barradas, NP ; O'Donnell, KP; Liu, C; Deatcher, CJ; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 81, NÚMERO: 16
AUTORES: Pereira, S ; Pereira, E; Alves, E ; Barradas, NP ; O'Donnell, KP; Liu, C; Deatcher, CJ; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 81, NÚMERO: 16
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TÃTULO: Photoluminescence excitation spectroscopy of InGaN epilayers Full Text
AUTORES: White, ME; O'Donnell, KP; Martin, RW; Pereira, S ; Deatcher, CJ; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 93, NÚMERO: 1-3
AUTORES: White, ME; O'Donnell, KP; Martin, RW; Pereira, S ; Deatcher, CJ; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 93, NÚMERO: 1-3
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TÃTULO: Degradation of structural and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells with increasing number of wells Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Barradas, NP ; Sequeira, AD; Franco, N; Watson, IM; Liu, C;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002) in INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, NÚMERO: 1
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Barradas, NP ; Sequeira, AD; Franco, N; Watson, IM; Liu, C;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002) in INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Depth resolved studies of indium content and strain in InGaN layers Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Trager Cowan, C; Sweeney, F; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 4th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, VOLUME: 228, NÚMERO: 1
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Trager Cowan, C; Sweeney, F; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 4th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, VOLUME: 228, NÚMERO: 1
