11
TÍTULO: Analysis of the Tb3+ recombination in ion implanted AlxGa1-xN (0 <= x <= 1) layers  Full Text
AUTORES: Rodrigues, J; Fialho, M; Magalhaes, S; Correia, MR; Rino, L; Alves, E; Neves, AJ; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 178
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
12
TÍTULO: Composition, structure and morphology of Al1-xInxN thin films grown on Al1-yGayN templates with different GaN contents  Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Watson, IM; Pereira, S; Franco, N; Tan, LT; Martin, RW; O'Donnell, KP; Alves, E; Araujo, JP ; Monteiro, T; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 48, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 7
13
TÍTULO: Determination of the Be-9(He-3,p(i))B-11 (i=0,1,2,3) cross section at 135 degrees in the energy range 1-2.5 MeV  Full Text
AUTORES: Barradas, NP; Catarino, N; Mateus, R; Magalhaes, S; Alves, E; Siketic, Z; Bogdanovic B Radovic;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 346
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
14
TÍTULO: Analysis of the stability of InGaN/GaN multiquantum wells against ion beam intermixing  Full Text
AUTORES: Redondo Cubero, A; Lorenz, K; Wendler, E; Magalhaes, S; Alves, E; Carvalho, D; Ben, T; Morales, FM; Garcia, R; O'Donnell, KP; Wetzel, C;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 26, NÚMERO: 42
INDEXADO EM: Scopus WOS
15
TÍTULO: The Role of Edge Dislocations on the Red Luminescence of ZnO Films Deposited by RF-Sputtering
AUTORES: Rocio Felix; Marco Peres; Sergio Magalhaes; Maria Rosario Correia; Armando Lourenco; Teresa Monteiro; Rafael Garcia; Francisco M Morales;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: JOURNAL OF NANOMATERIALS
INDEXADO EM: WOS
16
TÍTULO: Disorder induced violet/blue luminescence in rf-deposited ZnO films  Full Text
AUTORES: Peres, M; Magalhaes, S; Soares, MR; Soares, MJ ; Rino, L; Alves, E ; Lorenz, K; Correia, MR ; Lourenco, AC; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: E-MRS ICAM IUMRS Spring Meeting / Symposium T on Physics and Applications of Novel Gain Materials Based on Nitrogen and Bismuth Containing III-V Compounds in PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 4, VOLUME: 10, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 9
17
TÍTULO: Wettability and Nanotribological Response of Silicon Surfaces Functionalized by Ion Implantation
AUTORES: Bruno Nunes; Sergio Magalhaes; Nuno Franco; Eduardo Alves ; Ana Paula Serro ; Rogerio Colaco ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: 6th International Materials Symposium (MATERIALS 2011)/15th Meeting of SPM in ADVANCED MATERIALS FORUM VI, PTS 1 AND 2, VOLUME: 730-732
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18
TÍTULO: Microstructure and nanomechanical properties of Fe+ implanted silicon  Full Text
AUTORES: Nunes, B; Magalhaes, S; Franco, N; Alves, E ; Colaco, R;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: APPLIED SURFACE SCIENCE, VOLUME: 284
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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TÍTULO: Lattice site location and luminescence studies of AlxGa1-xN alloys doped with thulium ions  Full Text
AUTORES: Fialho, M; Lorenz, K ; Magalhaes, S; Rodrigues, J; Santos, NF; Monteiro, T; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: 18th International Conference on Ion Beam Modifications of Materials (IBMM) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 307
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 4
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TÍTULO: AlN content influence on the properties of AlxGa1-xN doped with Pr ions  Full Text
AUTORES: Fialho, M; Magalhaes, S; Alves, LC ; Marques, C; Maalej, R; Monteiro, T ; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 273
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