131
TÍTULO: Effect of the tunnelling oxide growth by H2O2 oxidation on the performance of a-Si:H MIS photodiodes  Full Text
AUTORES: Águas, H; Perreira, L; R.J.C Silva; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Materials Science and Engineering: B, VOLUME: 109, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID
132
TÍTULO: Effect of the tunnelling oxide thickness and density on the performance of MIS photodiodes  Full Text
AUTORES: LGUAS, H;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 451-452
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID
134
TÍTULO: Effect of Annealing on Gold Rectifying Contacts in Amorphous Silicon
AUTORES: Hugo Águas; Luís Pereira; Isabel Ferreira; A.R Ramos; A.S Viana; Andreu, J; Paula M Vilarinho; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: CrossRef: 1
NO MEU: ORCID
135
TÍTULO: Silicon Etching in CF<sub>4</sub>/O<sub>2</sub> and SF<sub>6</sub> Atmospheres
AUTORES: Silva, A; Leandro Raniero; Ferreira, E; Hugo Águas; Luís Pereira; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID
136
TÍTULO: MIS Photodiodes of Polymorphous Silicon Deposited at Higher Growth Rates by 27.12 MHz PECVD Discharge
AUTORES: Hugo Águas; Luís Pereira; Leandro Raniero; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID
137
TÍTULO: Polymorphous Silicon Films Deposited at 27.12 MHz
AUTORES: Martins, R; Aguas, H; Ferreira, I; Fortunato, E; Lebib, S; Roca i Cabarrocas, P; Guimaraes, L;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Advanced Materials, VOLUME: 15, NÚMERO: 24
INDEXADO EM: Scopus
NO MEU: ORCID
138
TÍTULO: Polymorphous silicon deposited in large area reactor at 13 and 27 MHz  Full Text
AUTORES: Águas, H; Roca i Cabarrocas, P; Lebib, S; Silva, V; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 427, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID
139
TÍTULO: Influence of the deposition pressure on the properties of transparent and conductive ZnO:Ga thin-film produced by r.f. sputtering at room temperature  Full Text
AUTORES: Assunção, V; Fortunato, E; Marques, A; Águas, H; Ferreira, I; M.E.V Costa; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 427, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID
140
TÍTULO: Spectroscopic ellipsometry study of amorphous silicon anodically oxidised  Full Text
AUTORES: Águas, H; Gonçalves, A; Pereira, L; Silva, R; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 427, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID
Página 14 de 16. Total de resultados: 155.