271
TÍTULO: The effect of the flow of silane on the properties of a-Si:H deposited by concentric-electrode radio frequency glow-discharge  Full Text
AUTORES: Conde, JP; Chan, KK; Blum, JM; Arienzo, M;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 71, NÚMERO: 8
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272
TÍTULO: Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon films deposited under negative substrate bias  Full Text
AUTORES: Roca i Cabarrocas, P; Morin, P; Chu, V; Conde, JP; Liu, JZ; Park, HR; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 69, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: CrossRef
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273
TÍTULO: A-SI-H,F-REVERSIBLE-A-SI,GE-H,F GRADED-BANDGAP STRUCTURES
AUTORES: CONDE, JP; SHEN, DS; CHU, V; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: INTERNATIONAL TOPICAL CONF ON HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON DEVICES AND TECHNOLOGY in IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOLUME: 36, NÚMERO: 12
INDEXADO EM: Scopus WOS
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274
TÍTULO: Photocurrent collection in a Schottky barrier on an amorphous silicon-germanium alloy structure with 1.23 eV optical gap  Full Text
AUTORES: Chu, V; Conde, JP; Shen, DS; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 55, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID
275
TÍTULO: Parallel and Perpendicular Transport in a-Si:H,F/a-Si,Ge:H,F Multilayers
AUTORES: Conde, JP; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Amorphous Silicon and Related Materials
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID
276
TÍTULO: SCHOTTKY-BARRIER FORMATION BETWEEN TRANSITION-METALS AND AMORPHOUS-SILICON GERMANIUM ALLOYS
AUTORES: CHU, V; HORNG, SF; CONDE, JP; KAHN, A; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 17, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: WOS
277
TÍTULO: AMORPHOUS SILICON-GERMANIUM ALLOY MULTILAYER STRUCTURES
AUTORES: CONDE, JP; CHU, V; SHEN, DS; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 17, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: WOS
278
TÍTULO: Determination of the D 0/− level in amorphous Si,Ge:H(F) by time-of-flight charge collection  Full Text
AUTORES: Shen, DS; Conde, JP; Chu, V; Liu, JZ; Aljishi, S; Smith, ZE; Maruyama, A; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 53, NÚMERO: 16
INDEXADO EM: CrossRef
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279
TÍTULO: STEADY-STATE AND TRANSIENT TRANSPORT IN A-SI,GE-H,F ALLOYS  Full Text
AUTORES: ALJISHI, S; CHU, V; SMITH, ZE; SHEN, DS; CONDE, JP; SLOBODIN, D; KOLODZEY, J; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 97-8, NÚMERO: PART 2
INDEXADO EM: Scopus WOS
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280
TÍTULO: Study of conduction band tail states in a-Si,Ge:H,F alloys by electron time-of-flight
AUTORES: Shen D.S.; Aljishi S.; Conde J.P.; Smith Z.E.; Chu V.; Wagner S.;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, VOLUME: 763
INDEXADO EM: Scopus CrossRef: 3
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