João Pedro Estrela Rodrigues Conde
AuthID: R-000-7DS
273
TÃTULO: Annealing kinetics of a-Si:H deposited by concentric-electrode rf glow discharge at room temperature Full Text
AUTORES: Conde, JP; Chan, KK; Blum, JM; Arienzo, M; Monteiro, PA; Ferreira, JA; Chu, V; Wyrsh, N;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 73, NÚMERO: 4
AUTORES: Conde, JP; Chan, KK; Blum, JM; Arienzo, M; Monteiro, PA; Ferreira, JA; Chu, V; Wyrsh, N;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 73, NÚMERO: 4
275
TÃTULO: Deposition of amorphous silicon using a tubular reactor with concentric-electrode confinement Full Text
AUTORES: Conde, JP; Chan, KK; Blum, JM; Arienzo, M; Cuomo, JJ;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 71, NÚMERO: 8
AUTORES: Conde, JP; Chan, KK; Blum, JM; Arienzo, M; Cuomo, JJ;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 71, NÚMERO: 8
276
TÃTULO: The effect of the flow of silane on the properties of a-Si:H deposited by concentric-electrode radio frequency glow-discharge Full Text
AUTORES: Conde, JP; Chan, KK; Blum, JM; Arienzo, M;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 71, NÚMERO: 8
AUTORES: Conde, JP; Chan, KK; Blum, JM; Arienzo, M;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 71, NÚMERO: 8
277
TÃTULO: Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon films deposited under negative substrate bias Full Text
AUTORES: Roca i Cabarrocas, P; Morin, P; Chu, V; Conde, JP; Liu, JZ; Park, HR; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 69, NÚMERO: 5
AUTORES: Roca i Cabarrocas, P; Morin, P; Chu, V; Conde, JP; Liu, JZ; Park, HR; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 69, NÚMERO: 5
278
TÃTULO: A-SI-H,F-REVERSIBLE-A-SI,GE-H,F GRADED-BANDGAP STRUCTURES
AUTORES: CONDE, JP; SHEN, DS; CHU, V; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: INTERNATIONAL TOPICAL CONF ON HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON DEVICES AND TECHNOLOGY in IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOLUME: 36, NÚMERO: 12
AUTORES: CONDE, JP; SHEN, DS; CHU, V; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: INTERNATIONAL TOPICAL CONF ON HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON DEVICES AND TECHNOLOGY in IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOLUME: 36, NÚMERO: 12
INDEXADO EM: 
Scopus 
WOS
Scopus WOS NO MEU: 
ORCID
ORCID279
TÃTULO: Photocurrent collection in a Schottky barrier on an amorphous silicon-germanium alloy structure with 1.23 eV optical gap Full Text
AUTORES: Chu, V; Conde, JP; Shen, DS; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 55, NÚMERO: 3
AUTORES: Chu, V; Conde, JP; Shen, DS; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 55, NÚMERO: 3
280
TÃTULO: Parallel and Perpendicular Transport in a-Si:H,F/a-Si,Ge:H,F Multilayers
AUTORES: Conde, JP; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Amorphous Silicon and Related Materials
AUTORES: Conde, JP; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Amorphous Silicon and Related Materials
