121
TÍTULO: Lattice location of Hf and its interaction with other impurities in LiNbO3: an integrated review
AUTORES: Marques, JG; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Annual Conference on Oxide-Based Materials and Devices V held at SPIE Photonics West in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES V, VOLUME: 8987
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122
TÍTULO: Erratum: Lattice location of Hf and its interaction with other impurities in LiNbO<inf>3</inf>: A review (Optical Engineering (2014) 53:6 (060901))
AUTORES: Marques, JG; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Optical Engineering, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
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123
TÍTULO: Lattice location of Hf and its interaction with other impurities in LiNbO<inf>3</inf>: A review
AUTORES: Marques, JG; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Optical Engineering, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
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124
TÍTULO: High In-content InGaN layers synthesized by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Growth conditions, strain relaxation, and In incorporation kinetics  Full Text
AUTORES: Valdueza-Felip, S; Bellet-Amalric, E; Núñez-Cascajero, A; Wang, Y; M.-P Chauvat; Ruterana, P; Pouget, S; Lorenz, K; Alves, E; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 116, NÚMERO: 23
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125
TÍTULO: Errata: Lattice location of Hf and its interaction with other impurities in LiNbO3: a review
AUTORES: José G Marques; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Optical Engineering - Opt. Eng, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
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126
TÍTULO: Functional nanowires: Synthesis, characterization and applications
AUTORES: Bianchi Méndez; Katharina Lorenz; Beatrice Fraboni; Oliver Ambacher;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, VOLUME: 11, NÚMERO: 2
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127
TÍTULO: Composition and luminescence studies of InGaN epilayers grown at different hydrogen flow rates  Full Text
AUTORES: Taylor, E; Fang, F; Oehler, F; Edwards, PR; Kappers, MJ; Lorenz, K; Alves, E ; McAleese, C; Humphreys, CJ; Martin, RW;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 28, NÚMERO: 6
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128
TÍTULO: Enhanced red emission from praseodymium-doped GaN nanowires by defect engineering  Full Text
AUTORES: Lorenz, K; Nogales, E; Miranda, SMC; Franco, N; Mendez, B; Alves, E ; Tourbot, G; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: ACTA MATERIALIA, VOLUME: 61, NÚMERO: 9
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129
TÍTULO: Nanostructures and thin films of transparent conductive oxides studied by perturbed angular correlations  Full Text
AUTORES: Barbosa, MB; Goncalves, JN ; Redondo Cubero, A ; Miranda, SMC; Simon, R; Kessler, P; Brandt, M; Henneberger, F; Nogales, E; Mendez, B; Johnston, K; Alves, E ; Vianden, R; Araujo, JP ; Lorenz, K; Correia, JG ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 250, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 4
130
TÍTULO: Disorder induced violet/blue luminescence in rf-deposited ZnO films  Full Text
AUTORES: Peres, M; Magalhaes, S; Soares, MR; Soares, MJ ; Rino, L; Alves, E ; Lorenz, K; Correia, MR ; Lourenco, AC; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: E-MRS ICAM IUMRS Spring Meeting / Symposium T on Physics and Applications of Novel Gain Materials Based on Nitrogen and Bismuth Containing III-V Compounds in PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 4, VOLUME: 10, NÚMERO: 4
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