Katharina Lorenz
AuthID: R-000-90E
151
TÃTULO: Implanted Impurities in Wide Band Gap Semiconductors
AUTORES: Keßler, P; Lorenz, K; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Defect and Diffusion Forum - DDF, VOLUME: 311
AUTORES: Keßler, P; Lorenz, K; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Defect and Diffusion Forum - DDF, VOLUME: 311
152
TÃTULO: Effect of annealing on AlN/GaN quantum dot heterostructures: advanced ion beam characterization and X-ray study of low-dimensional structures Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Lorenz, K; Franco, N; Barradas, NP; Alves, E; Monteiro, T; Amstatt, B; Fellmann, V; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Surface and Interface Analysis - Surf. Interface Anal., VOLUME: 42, NÚMERO: 10-11
AUTORES: Magalhães, S; Lorenz, K; Franco, N; Barradas, NP; Alves, E; Monteiro, T; Amstatt, B; Fellmann, V; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Surface and Interface Analysis - Surf. Interface Anal., VOLUME: 42, NÚMERO: 10-11
153
TÃTULO: Functionalizing self-assembled GaN quantum dot superlattices by Eu-implantation Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Peres, M; Fellmann, V; Daudin, B; Neves, AJ; Alves, E; Monteiro, T; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 108, NÚMERO: 8
AUTORES: Magalhães, S; Peres, M; Fellmann, V; Daudin, B; Neves, AJ; Alves, E; Monteiro, T; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 108, NÚMERO: 8
154
TÃTULO: Depth-resolved analysis of spontaneous phase separation in the growth of lattice-matched AlInN Full Text
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K; Gago, R; Franco, N; M-A di Forte Poisson; Alves, E; Muñoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics - J. Phys. D: Appl. Phys., VOLUME: 43, NÚMERO: 5
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K; Gago, R; Franco, N; M-A di Forte Poisson; Alves, E; Muñoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics - J. Phys. D: Appl. Phys., VOLUME: 43, NÚMERO: 5
155
TÃTULO: Alloy and lattice disorder in Hf implanted Full Text
AUTORES: Thomas Geruschke; Katharina Lorenz; Reiner Vianden;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Physica B: Condensed Matter, VOLUME: 404, NÚMERO: 23-24
AUTORES: Thomas Geruschke; Katharina Lorenz; Reiner Vianden;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Physica B: Condensed Matter, VOLUME: 404, NÚMERO: 23-24
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TÃTULO: Breakdown of anomalous channeling with ion energy for accurate strain determination in GaN-based heterostructures Full Text
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K; Gago, R; Franco, N; Fernández-Garrido, S; Smulders, PJM; Muñoz, E; Calleja, E; Watson, IM; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 95, NÚMERO: 5
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K; Gago, R; Franco, N; Fernández-Garrido, S; Smulders, PJM; Muñoz, E; Calleja, E; Watson, IM; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 95, NÚMERO: 5
157
TÃTULO: Optical and structural properties of Eu-implanted In[sub x]Al[sub 1−x]N Full Text
AUTORES: Roqan, IS; O’Donnell, KP; Martin, RW; Trager-Cowan, C; Matias, V; Vantomme, A; Lorenz, K; Alves, E; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 106, NÚMERO: 8
AUTORES: Roqan, IS; O’Donnell, KP; Martin, RW; Trager-Cowan, C; Matias, V; Vantomme, A; Lorenz, K; Alves, E; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 106, NÚMERO: 8
158
TÃTULO: Influence of steering effects on strain detection in AlGaInN/GaN heterostructures by ion channelling Full Text
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K; Franco, N; Fernández-Garrido, S; Gago, R; Smulders, PJM; Muñoz, E; Calleja, E; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics - J. Phys. D: Appl. Phys., VOLUME: 42, NÚMERO: 6
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K; Franco, N; Fernández-Garrido, S; Gago, R; Smulders, PJM; Muñoz, E; Calleja, E; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics - J. Phys. D: Appl. Phys., VOLUME: 42, NÚMERO: 6
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TÃTULO: Metal-organic vapor phase epitaxy and properties of AlInN in the whole compositional range (vol 90, art no 022105, 2007) Full Text
AUTORES: Hums, C; Blaesing, J; Dadgar, A; Diez, A; Hempel, T; Christen, J; Krost, A; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 91, NÚMERO: 13
AUTORES: Hums, C; Blaesing, J; Dadgar, A; Diez, A; Hempel, T; Christen, J; Krost, A; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 91, NÚMERO: 13
INDEXADO EM: 
WOS
WOS NO MEU: 
ORCID | ResearcherID
ORCID | ResearcherID160
TÃTULO: Implantation of nanoporous GaN with Eu ions Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Lorenz, K; Peres, M; Monteiro, T; Tripathy, S; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 257, NÚMERO: 1-2
AUTORES: Magalhães, S; Lorenz, K; Peres, M; Monteiro, T; Tripathy, S; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 257, NÚMERO: 1-2
