Katharina Lorenz
AuthID: R-000-90E
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TÃTULO: Metal Release and Cell Viability of 316L Stainless Steel Sputter-Coated with N-Doped a-C:H Coatings
AUTORES: Frois, Antonio; Marques, Joao Ricardo; Santos, Luis; Peres, Marco; Lorenz, Katharina; Louro, Cristina Santos; Santos, Ana Cristina;
PUBLICAÇÃO: 2024, FONTE: APPLIED SCIENCES-BASEL, VOLUME: 14, NÚMERO: 22
AUTORES: Frois, Antonio; Marques, Joao Ricardo; Santos, Luis; Peres, Marco; Lorenz, Katharina; Louro, Cristina Santos; Santos, Ana Cristina;
PUBLICAÇÃO: 2024, FONTE: APPLIED SCIENCES-BASEL, VOLUME: 14, NÚMERO: 22
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TÃTULO: Photoluminescence, persistent luminescence and thermoluminescence studies of Cr-doped zinc gallogermanate (ZGGO:Cr) Full Text
AUTORES: Esteves, Duarte M.; Batista, Maria S.; Rodrigues, Joana; Girao, Ana V.; Alves, Luis; Rodrigues, Ana L.; Dias, M. Isabel; Costa, Florinda M.; Lorenz, Katharina; Pereira, Sonia O.; Monteiro, Teresa; Peres, Marco;
PUBLICAÇÃO: 2024, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, VOLUME: 12, NÚMERO: 48
AUTORES: Esteves, Duarte M.; Batista, Maria S.; Rodrigues, Joana; Girao, Ana V.; Alves, Luis; Rodrigues, Ana L.; Dias, M. Isabel; Costa, Florinda M.; Lorenz, Katharina; Pereira, Sonia O.; Monteiro, Teresa; Peres, Marco;
PUBLICAÇÃO: 2024, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, VOLUME: 12, NÚMERO: 48
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TÃTULO: Anisotropic below bandgap harmonic generation in β-gallium oxide Full Text
AUTORES: Hussain, Mukhtar; Antunes, ANDRe M. E. S. Q. U. I. T. A.; Vaz, Goncalo; Alves, Joana; Pires, Hugo; Imran, Tayyab; Peres, Marco; Lorenz, Katharina; Villora, Encarnacion; Shimamura, Kiyoshi; Madas, Saibabu; Kahaly, Mousumi upadhyay; Kahaly, Subhendu; Figueira, Goncalo; Fajardo, Marta; Williams, Gareth;
PUBLICAÇÃO: 2024, FONTE: OPTICS EXPRESS, VOLUME: 32, NÚMERO: 26
AUTORES: Hussain, Mukhtar; Antunes, ANDRe M. E. S. Q. U. I. T. A.; Vaz, Goncalo; Alves, Joana; Pires, Hugo; Imran, Tayyab; Peres, Marco; Lorenz, Katharina; Villora, Encarnacion; Shimamura, Kiyoshi; Madas, Saibabu; Kahaly, Mousumi upadhyay; Kahaly, Subhendu; Figueira, Goncalo; Fajardo, Marta; Williams, Gareth;
PUBLICAÇÃO: 2024, FONTE: OPTICS EXPRESS, VOLUME: 32, NÚMERO: 26
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TÃTULO: Effect of lattice voids on Rutherford backscattering dechanneling in tungsten
AUTORES: Jin, Xin; Djurabekova, Flyura; Sequeira, Miguel; Lorenz, Katharina; Nordlund, Kai;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 56, NÚMERO: 6
AUTORES: Jin, Xin; Djurabekova, Flyura; Sequeira, Miguel; Lorenz, Katharina; Nordlund, Kai;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 56, NÚMERO: 6
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TÃTULO: Monte Carlo simulations of ion channeling in the presence of dislocation loops: New development in the McChasy code
AUTORES: Jóźwik, P; Caçador, A; Lorenz, K; Ratajczak, R; Mieszczyński, C;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 538
AUTORES: Jóźwik, P; Caçador, A; Lorenz, K; Ratajczak, R; Mieszczyński, C;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 538
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TÃTULO: Probing the Cr3+ luminescence sensitization in & beta;-Ga2O3 with ion-beam-induced luminescence and thermoluminescence Full Text
AUTORES: Esteves, D. M.; Rodrigues, A. L.; Alves, L. C.; Alves, E.; Dias, M. I.; Jia, Z.; Mu, W.; Lorenz, K.; Peres, M.;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: SCIENTIFIC REPORTS, VOLUME: 13, NÚMERO: 1
AUTORES: Esteves, D. M.; Rodrigues, A. L.; Alves, L. C.; Alves, E.; Dias, M. I.; Jia, Z.; Mu, W.; Lorenz, K.; Peres, M.;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: SCIENTIFIC REPORTS, VOLUME: 13, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Cd implantation in alpha-MoO3: An atomic scale study
AUTORES: Gerami, Adeleh Mokhles; Heiniger Schell, Juliana; Silva, E. Lora da; Costa, Messias S.; Costa, Cleidilane S.; Monteiro, Joao G.; Pires, Jose J.; Pereira, Daniela R.; Diaz Guerra, Carlos; Carbonari, Artur W.; Lorenz, Katharina; Correia, Joao G.;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: PHYSICAL REVIEW MATERIALS, VOLUME: 7, NÚMERO: 3
AUTORES: Gerami, Adeleh Mokhles; Heiniger Schell, Juliana; Silva, E. Lora da; Costa, Messias S.; Costa, Cleidilane S.; Monteiro, Joao G.; Pires, Jose J.; Pereira, Daniela R.; Diaz Guerra, Carlos; Carbonari, Artur W.; Lorenz, Katharina; Correia, Joao G.;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: PHYSICAL REVIEW MATERIALS, VOLUME: 7, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: 
Scopus 
WOS
Scopus WOS18
TÃTULO: Combining MD-LAMMPS and MC-McChasy2 codes for dislocation simulations of Ni single crystal structure
AUTORES: Mieszczynski, Cyprian; Jozwik, Przemyslaw; Skrobas, Kazimierz; Stefanska Skrobas, Kamila; Ratajczak, Renata; Jagielski, Jacek; Garrido, Frederico; Wyszkowska, Edyta; Azarov, Alexander; Lorenz, Katharina; Alves, Eduardo;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 540
AUTORES: Mieszczynski, Cyprian; Jozwik, Przemyslaw; Skrobas, Kazimierz; Stefanska Skrobas, Kamila; Ratajczak, Renata; Jagielski, Jacek; Garrido, Frederico; Wyszkowska, Edyta; Azarov, Alexander; Lorenz, Katharina; Alves, Eduardo;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 540
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TÃTULO: Combining x-ray real and reciprocal space mapping techniques to explore the epitaxial growth of semiconductors Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Cabaço, JS; Concepción, O; Buca, D; Stachowicz, M; Oliveira, F; Cerqueira, MF; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics, VOLUME: 56, NÚMERO: 24
AUTORES: Magalhães, S; Cabaço, JS; Concepción, O; Buca, D; Stachowicz, M; Oliveira, F; Cerqueira, MF; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics, VOLUME: 56, NÚMERO: 24
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TÃTULO: Extracting defect profiles in ion-implanted GaN from ion channeling
AUTORES: Caçador, A; Jóźwik, P; Magalhães, S; Marques, JG; Wendler, E; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: Materials Science in Semiconductor Processing, VOLUME: 166
AUTORES: Caçador, A; Jóźwik, P; Magalhães, S; Marques, JG; Wendler, E; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: Materials Science in Semiconductor Processing, VOLUME: 166
