Vitor José Babau Torres


AuthID: R-000-HKG

Publicações Confirmadas: 64



21
TÍTULO: Strong compensation of n-type Ge via formation of donor-vacancy complexes  Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Janke, C; Carvalho, A; Torres, VJB ; Oberg, S; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: 24th International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 401
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID
22
TÍTULO: Ab initio modeling of defect levels in Ge clusters and supercells  Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Torres, VJB ; Carvalho, A; Jones, R; Oeberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Germanium-Based Semiconductors from Materials to Devices held at the 2006 EMRS Spring Meeting in MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 9, NÚMERO: 4-5
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 6
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23
TÍTULO: Ab initio modeling of interstitial oxygen in crystalline SiGe alloys  Full Text
AUTORES: Torres, VJB ; Coutinho, J ; Briddon, PR; Barroso, M ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 352, NÚMERO: 9-20
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 5
NO MEU: ORCID
24
TÍTULO: Ab initio study of CsI and its surface
AUTORES: Ribeiro, RM; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Sque, SJ; Oberg, S; Shaw, MJ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 74, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 9
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25
TÍTULO: Ab-initio modeling of acceptor-hydrogen complexes in CdTe  Full Text
AUTORES: Alberto, P ; Torres, VJB ; Coutinho, J ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 23rd International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 376, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
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26
TÍTULO: Calculation of deep carrier traps in a divacancy in germanium crystals  Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Carvalho, A; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 88, NÚMERO: 9
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 18
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27
TÍTULO: Donor-vacancy complexes in Ge: Cluster and supercell calculations
AUTORES: Coutinho, J ; Oberg, S; Torres, VJB ; Barroso, M ; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 73, NÚMERO: 23
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 51
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28
TÍTULO: Early SiO2 precipitates in Si: Vacancy-oxygen versus interstitial-oxygen clusters  Full Text
AUTORES: Torres, VJB ; Coutinho, J ; Jones, R; Barroso, M ; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 23rd International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 376, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 11
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29
TÍTULO: Energy levels of atomic hydrogen in germanium from ab-initio calculations  Full Text
AUTORES: Almeida, LM; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Germanium-Based Semiconductors from Materials to Devices held at the 2006 EMRS Spring Meeting in MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 9, NÚMERO: 4-5
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
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30
TÍTULO: Formation energy and migration barrier of a Ge vacancy from ab initio studies  Full Text
AUTORES: Pinto, HM; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Oeberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Germanium-Based Semiconductors from Materials to Devices held at the 2006 EMRS Spring Meeting in MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 9, NÚMERO: 4-5
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 34
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