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Henrique Leonel Gomes
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R-000-5XR
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Article (66)
Proceedings Paper (20)
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1993
1992
1991
Order:
Ano Dsc
Ano Asc
Cit. WOS Dsc
IF WOS Dsc
Cit. Scopus Dsc
IF Scopus Dsc
Título Asc
Título Dsc
Results:
10
20
30
40
50
Publicações Confirmadas: 86
41
TÃTULO:
Metal contacts in thin-film transistors
Full Text
AUTORES:
Stallinga, P
;
Gomes, HL
;
PUBLICAÇÃO:
2007
,
FONTE:
ORGANIC ELECTRONICS,
VOLUME:
8,
NÚMERO:
4
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
NO MEU:
ORCID
42
TÃTULO:
Reproducible resistive switching in nonvolatile organic memories
Full Text
AUTORES:
Frank Verbakel;
Stefan C J Meskers
; Rene A J Janssen;
Henrique L Gomes
; Michael Coelle; Michael Buechel; Dago M de Leeuw;
PUBLICAÇÃO:
2007
,
FONTE:
APPLIED PHYSICS LETTERS,
VOLUME:
91,
NÚMERO:
19
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
NO MEU:
ORCID
43
TÃTULO:
Voltage- and light-induced hysteresis effects at the high-k dielectric- poly(3-hexylthiophene) interface
Full Text
AUTORES:
Lancaster, J;
Taylor, DM
; Sayers, P;
Gomes, HL
;
PUBLICAÇÃO:
2007
,
FONTE:
APPLIED PHYSICS LETTERS,
VOLUME:
90,
NÚMERO:
10
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
44
TÃTULO:
Electrical instabilities in organic semiconductors caused by trapped supercooled water
Full Text
AUTORES:
Gomes, HL
;
Stallinga, P
; Colle, M; de Leeuw, DM; Biscarini, F;
PUBLICAÇÃO:
2006
,
FONTE:
APPLIED PHYSICS LETTERS,
VOLUME:
88,
NÚMERO:
8
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
NO MEU:
ORCID
45
TÃTULO:
Light-emitting thin-film field-effect transistors
AUTORES:
Peter Stallinga
;
Henrique L Gomes
;
PUBLICAÇÃO:
2006
,
FONTE:
OPTICA APPLICATA,
VOLUME:
36,
NÚMERO:
2-3
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
NO MEU:
ORCID
46
TÃTULO:
Modeling electrical characteristics of thin-film field-effect transistors I. Trap-free materials
Full Text
AUTORES:
Stallinga, P
;
Gomes, HL
;
PUBLICAÇÃO:
2006
,
FONTE:
SYNTHETIC METALS,
VOLUME:
156,
NÚMERO:
21-24
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
47
TÃTULO:
Modeling electrical characteristics of thin-film field-effect transistors II: Effects of traps and impurities
Full Text
AUTORES:
Stallinga, P
;
Gomes, HL
;
PUBLICAÇÃO:
2006
,
FONTE:
SYNTHETIC METALS,
VOLUME:
156,
NÚMERO:
21-24
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
48
TÃTULO:
Organic materials for active layers in transistors: Study of the electrical stability properties
AUTORES:
Gomes, HL
;
Stallinga, P
;
de Leeuw, DM
;
PUBLICAÇÃO:
2006
,
FONTE:
3rd International Materials Symposium/12th Meeting of the Sociedad-Portuguesa-da-Materials (Materials 2005/SPM)
in
ADVANCED MATERIALS FORUM III, PTS 1 AND 2,
VOLUME:
514-516,
NÚMERO:
PART 1
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
NO MEU:
ORCID
49
TÃTULO:
The effect of water related traps on the reliability of organic based transistors
Full Text
AUTORES:
Gomes, HL
;
Stallinga, P
; Colle, M; Biscarini, F; de Leeuw, DM;
PUBLICAÇÃO:
2006
,
FONTE:
21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
in
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS,
VOLUME:
352,
NÚMERO:
9-20
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
NO MEU:
ORCID
50
TÃTULO:
Thin-film field-effect transistors: The effects of traps on the bias and temperature dependence of field-effect mobility, including the Meyer-Neldel rule
Full Text
AUTORES:
Stallinga, P
;
Gomes, HL
;
PUBLICAÇÃO:
2006
,
FONTE:
ORGANIC ELECTRONICS,
VOLUME:
7,
NÚMERO:
6
INDEXADO EM:
Scopus
WOS
CrossRef
NO MEU:
ORCID
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