Hugo Manuel Brito Águas


AuthID: R-000-61B

Publicações Confirmadas: 130



121
TÍTULO: Role of ion bombardment on the properties of a-Si : H films
AUTORES: Aguas, H ; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: Vacuum, VOLUME: 60, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: Scopus
NO MEU: ORCID
122
TÍTULO: Silicon films produced by PECVD under powder formation conditions
AUTORES: Martins, R; Aguas, H ; Silva, V; Ferreira, I; Cabrita, A; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: 5th European Workshop on Dusty and Collidal Plasmas in PLASMA PROCESSING AND DUSTY PARTICLES, VOLUME: 382
INDEXADO EM: WOS
NO MEU: ResearcherID
123
TÍTULO: Study of the effect of different plasma-enhanced chemical vapour deposition reactor configurations on the properties of hydrogenated amorphous silicon thin films
AUTORES: Aguas, H ; Silva, V; Ferreira, I ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: International Workshop on Semiconducting and Superconducting Materials in Philosophical Magazine B: Physics of Condensed Matter; Statistical Mechanics, Electronic, Optical and Magnetic Properties, VOLUME: 80, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus
NO MEU: ORCID
124
TÍTULO: Study of the effect of different plasma-enhanced chemical vapour deposition reactor configurations on the properties of hydrogenated amorphous silicon thin films
AUTORES: Aguas, H ; Silva, V; Ferreira, I ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: International Workshop on Semiconducting and Superconducting Materials in PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STATISTICAL MECHANICS ELECTRONIC OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES, VOLUME: 80, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: WOS
125
TÍTULO: Towards the improvement of the stability of a-Si : H pin devices  Full Text
AUTORES: Martins, R ; Aguas, H ; Ferreira, I ; Fortunato, E ; Guimaraes, L;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: SOLAR ENERGY, VOLUME: 69, NÚMERO: 1-6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID | ResearcherID
126
TÍTULO: Two step process for the growth of a thin layer of silicon dioxide for tunnelling effect applications
AUTORES: Aguas, H ; Cabrita, A; Tonello, P; Nunes, P; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: Symposium on Recent Developments in Oxide and Metal Epitaxy-Theory and Experiment in RECENT DEVELOPMENTS IN OXIDE AND METAL EPITAXY-THEORY AND EXPERIMENT, VOLUME: 619
INDEXADO EM: Scopus WOS
NO MEU: ORCID | ResearcherID
127
TÍTULO: Characteristics of a linear array of a-Si : H thin film position sensitive detector  Full Text
AUTORES: Fortunato, E ; Soares, F; Teodoro, P; Guimaraes, N; Mendes, M; Aguas, H ; Silva, V; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: THIN SOLID FILMS, VOLUME: 337, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID | ResearcherID
128
TÍTULO: Influence of the H2 dilution and filament temperature on the properties of P doped silicon carbide thin films produced by hot-wire technique
AUTORES: Ferreira, I ; Aguas, H ; Mendes, L; Fernandes, F ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: Proceedings of the 1998 MRS Spring Meeting in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 507
INDEXADO EM: Scopus
NO MEU: ORCID
129
TÍTULO: Performances of nano/amorphous silicon films produced by hot wire plasma assisted technique
AUTORES: Ferreira, I ; Aguas, H ; Mendes, L; Fernandes, F ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: Proceedings of the 1998 MRS Spring Meeting in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 507
INDEXADO EM: Scopus
NO MEU: ORCID
130
TÍTULO: Role of the hot wire filament temperature on the structure and morphology of the nanocrystalline silicon p-doped films  Full Text
AUTORES: Ferreira, I ; Aguas, H ; Mendes, L; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: 14th International Vacuum Congress/10th International Conference on Solid Surfaces/5th International Conference on Nanometre-Scale Science and Technology/10th International Conference on Quantitative Surface Analysis in APPLIED SURFACE SCIENCE, VOLUME: 144-45
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID | ResearcherID
Página 13 de 13. Total de resultados: 130.

Um espaço para investigadores e suas Instituições

Links Úteis

Ajuda

© 2024 CRACS & Inesc TEC - All Rights Reserved Política de Privacidade | Terms of Service