João Pedro Estrela Rodrigues Conde


AuthID: R-000-7DS

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TÍTULO: Post-deposition annealing and hydrogenation of hot-wire amorphous and microcrystalline silicon films
AUTORES: Conde, JP ; Brogueira, P ; Chu, V ;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: Symposium Q on Advances in Microcrystalline and Nanocrystalline Semiconductors - 1996, at the 1996 MRS Fall Meeting in ADVANCES IN MICROCRYSTALLINE AND NANOCRYSTALLINE SEMICONDUCTORS - 1996, VOLUME: 452
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TÍTULO: Amorphous silicon-carbon alloys deposited by electron-cyclotron resonance PECVD
AUTORES: Chu, V ; Conde, JP ;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: 14th Symposium on Amorphous Silicon Technology, at the 1996 MRS Spring Meeting in AMORPHOUS SILICON TECHNOLOGY - 1996, VOLUME: 420
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174
TÍTULO: In-plane photoconductivity in amorphous silicon doping multilayers
AUTORES: Conde, JP ; Silva, M; Chu, V ; Gleskova, H; Vasanth, K; Wagner, S; Shen, DS; Popovic, P; Grebner, S; Schwarz, R;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STATISTICAL MECHANICS ELECTRONIC OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES, VOLUME: 74, NÚMERO: 4
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175
TÍTULO: Photoconductive analysis of defect density of hydrogenated amorphous silicon during room-temperature plasma posthydrogenation, light soaking, and thermal annealing
AUTORES: Condo, JP ; Goncalves, M; Brogueira, P ; Schotten, V; Chu, V ;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 53, NÚMERO: 4
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176
TÍTULO: Study of doped-intrinsic interfaces in amorphous semiconductors using doping multilayers
AUTORES: Conde, JP ; Silva, M; Chu, V ;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: 7th International Conference on Intergranular and Interphase Boundaries in Materials (iib95) in INTERGRANULAR AND INTERPHASE BOUNDARIES IN MATERIALS, PT 2, VOLUME: 207-2, NÚMERO: PART 2
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177
TÍTULO: The influence of hydrogen dilution and substrate temperature in hot-wire deposition of amorphous and microcrystalline silicon with filament temperatures between 1900 and 2500 degrees C
AUTORES: Conde, JP ; Brogueira, P ; Castanha, R; Chu, V ;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: 14th Symposium on Amorphous Silicon Technology, at the 1996 MRS Spring Meeting in AMORPHOUS SILICON TECHNOLOGY - 1996, VOLUME: 420
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178
TÍTULO: Amorphous-to-microcrystalline silicon transition in hot-wire chemical vapor deposition
AUTORES: Brogueira, P ; Chu, V; Conde, JP ;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: Proceedings of the 1995 MRS Spring Meeting in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 377
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179
TÍTULO: LOW FILAMENT TEMPERATURE DEPOSITION OF A-SI-H BY HOT-WIRE CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  Full Text
AUTORES: BROGUEIRA, P ; CONDE, JP ; AREKAT, S; CHU, V ;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 78, NÚMERO: 6
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180
TÍTULO: Optoelectronic properties of high-gap amorphous silicon-carbon alloys
AUTORES: Chu, V; Conde, JP ; Brogueira, P ; Micaelo, P; Jarego, JP; da Silva, MF; Soares, JC ;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: Proceedings of the 1995 MRS Spring Meeting in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 377
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