José Pedro de Abreu Coutinho


AuthID: R-000-8V3

Publicações Confirmadas: 105



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TÍTULO: First principles study of point defects in titanium oxycarbide  Full Text
AUTORES: Pinto, HM; Coutinho, J ; Ramos, MMD ; Vaz, F ; Marques, L ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 5th International Workshop on Nanosciences and Nanotechnologies in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS, VOLUME: 165, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 13
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22
TÍTULO: Trivacancy and trivacancy-oxygen complexes in silicon: Experiments and ab initio modeling
AUTORES: Markevich, VP; Peaker, AR; Lastovskii, SB; Murin, LI; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Briddon, PR; Dobaczewski, L; Monakhov, EV; Svensson, BG;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 80, NÚMERO: 23
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 42
NO MEU: ORCID
23
TÍTULO: Trivacancy in silicon: A combined DLTS and ab-initio modeling study  Full Text
AUTORES: Markevich, VP; Peaker, AR; Lastovskii, SB; Murin, LI; Coutinho, J ; Markevich, AV; Torres, VJB ; Briddon, PR; Dobaczewski, L; Monakhov, EV; Svensson, BG;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 25th International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 404, NÚMERO: 23-24
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 8
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24
TÍTULO: Ab initio investigation of phosphorus and boron diffusion in germanium  Full Text
AUTORES: Janke, C; Jones, R; Coutinho, J ; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: International Symposium on Beyond Silicon Technology held at the 2008 EMRS Spring Meeting in MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 11, NÚMERO: 5-6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 4
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25
TÍTULO: Ab-initio vibrational properties of SiGe alloys  Full Text
AUTORES: Torres, VJB ; Coutinho, J ; Briddon, PR; Barroso, M ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: THIN SOLID FILMS, VOLUME: 517, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 8
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26
TÍTULO: Complexes of self-interstitials with oxygen atoms in germanium  Full Text
AUTORES: Khirunenko, LI; Yu. V Pomozov; Sosnin, M; Markevich, VP; Murin, LI; Litvinov, VV; Carvalho, A; Jones, R; Coutinho, J ; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: International Symposium on Beyond Silicon Technology held at the 2008 EMRS Spring Meeting in MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 11, NÚMERO: 5-6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
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27
TÍTULO: Density-functional theory study of Au, Ag and Cu defects in germanium  Full Text
AUTORES: Carvalho, A; Coutinho, J ; Jones, R; Silva, E; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: International Symposium on Beyond Silicon Technology held at the 2008 EMRS Spring Meeting in MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 11, NÚMERO: 5-6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
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28
TÍTULO: Density-functional theory study of interstitial iron and its complexes with B and Al in dilute SiGe alloys  Full Text
AUTORES: Carvalho, A; Coutinho, J ; Jones, R; Barroso, M ; Goss, JP; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: International Symposium on Beyond Silicon Technology held at the 2008 EMRS Spring Meeting in MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 11, NÚMERO: 5-6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
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29
TÍTULO: First-principles study of Fe and FeAl defects in SiGe alloys
AUTORES: Carvalho, A; Coutinho, J ; Jones, R; Goss, J; Barroso, M ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 78, NÚMERO: 12
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 9
NO MEU: ORCID
30
TÍTULO: Formation of interstitial carbon-interstitial oxygen complexes in silicon: Local vibrational mode spectroscopy and density functional theory
AUTORES: Khirunenko, LI; Sosnin, MG; Yu. V Pomozov; Murin, LI; Markevich, VP; Peaker, AR; Almeida, LM; Coutinho, J ; Torres, VJB ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 78, NÚMERO: 15
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 15
NO MEU: ORCID
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