Katharina Lorenz


AuthID: R-000-90E

Publicações Confirmadas: 129



51
TÍTULO: Optical doping and damage formation in AlN by Eu implantation  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Alves, E ; Gloux, F; Ruterana, P; Peres, M; Neves, AJ ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 107, NÚMERO: 2
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 27
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52
TÍTULO: RE Implantation and Annealing of III-Nitrides
AUTORES: Katharina Lorenz ; Eduardo Alves ; Florence Gloux; Pierre Ruterana;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: RARE EARTH DOPED III-NITRIDES FOR OPTOELECTRONIC AND SPINTRONIC APPLICATIONS, VOLUME: 124
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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53
TÍTULO: The Characterization of N Interstitials and Dangling Bond Point Defects on Ion-Implanted GaN Nanowires Studied by Photoluminescence and X-Ray Absorption Spectroscopy. Rapid Communications of the American Ceramic Society  Full Text
AUTORES: Kuo Hao Lee; Jau Wern Chiou; Jin Ming Chen; Jyh Fu Lee; Alain Braud; Katharina Lorenz ; Eduardo Alves ; In Gann Chen;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY, VOLUME: 93, NÚMERO: 11
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54
TÍTULO: Thin film depth profiling using simultaneous particle backscattering and nuclear resonance profiling  Full Text
AUTORES: Barradas, NP ; Mateus, R ; Fonseca, M. ; Miguel A. Reis ; Lorenz, K ; Vickridge, I;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 19th International Conference on Ion Beam Analysis in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 268, NÚMERO: 11-12
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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55
TÍTULO: Total reflectance and Raman studies in AlyInxGa1-x-yN epitaxial layers  Full Text
AUTORES: Margarida M Bola; Correia, MR ; Pereira, S ; Gonzalez, JC; Lorenz, K ; Alves, E ; Barradas, N ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Symposium on Group III Nitride Semiconductors held at the 2009 EMRS Spring Meeting in PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7, NO 1, VOLUME: 7, NÚMERO: 1
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56
TÍTULO: Alloy and lattice disorder in Hf implanted AlxGa1-xN (0 <= x <= 1)  Full Text
AUTORES: Thomas Geruschke; Katharina Lorenz ; Reiner Vianden;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 25th International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 404, NÚMERO: 23-24
INDEXADO EM: Scopus WOS
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57
TÍTULO: Breakdown of anomalous channeling with ion energy for accurate strain determination in GaN-based heterostructures  Full Text
AUTORES: Redondo Cubero, A ; Lorenz, K ; Gago, R; Franco, N; Fernandez Garrido, S; Smulders, PJM; Munoz, E; Calleja, E; Watson, IM; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 95, NÚMERO: 5
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58
TÍTULO: Europium doping of zincblende GaN by ion implantation  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Roqan, IS; Franco, N; O'Donnell, KP; Darakchieva, V; Alves, E ; Trager Cowan, C; Martin, RW; As, DJ; Panfilova, M;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 105, NÚMERO: 11
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59
TÍTULO: Influence of steering effects on strain detection in AlGaInN/GaN heterostructures by ion channelling  Full Text
AUTORES: Redondo Cubero, A ; Lorenz, K ; Franco, N; Fernandez Garrido, S; Gago, R; Smulders, PJM; Munoz, E; Calleja, E; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 42, NÚMERO: 6
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60
TÍTULO: Influence of the AlN molar fraction on the structural and optical properties of praseodymium-doped AlxGa1-xN (0 <= x <= 1) alloys  Full Text
AUTORES: Peres, M; Magalhaes, S; Franco, N; Soares, MJ ; Neves, AJ ; Alves, E ; Lorenz, K ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Symposium on Wide Band Gap Semiconductor Nanostructures for Optoelectronic Applications held at the 2008 E-MRS Conference in MICROELECTRONICS JOURNAL, VOLUME: 40, NÚMERO: 2
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 13
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