Teresa Maria Fernandes Rodrigues Cabral Monteiro
AuthID: R-000-H53
141
TÃTULO: Optical and electrical characterisation of iron-doped ZnO
AUTORES: Gaspar, C; Pereira, L; Costa, FM; Monteiro, T; Han, J; Senos, AMR; Mantas, P;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: 11th International Semiconducting and Insulating Materials Conference, SIMC 2000 in IEEE Semiconducting and Semi-Insulating Materials Conference, SIMC, VOLUME: 2000-January
AUTORES: Gaspar, C; Pereira, L; Costa, FM; Monteiro, T; Han, J; Senos, AMR; Mantas, P;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: 11th International Semiconducting and Insulating Materials Conference, SIMC 2000 in IEEE Semiconducting and Semi-Insulating Materials Conference, SIMC, VOLUME: 2000-January
142
TÃTULO: A comparative study of n-p GaN/SiC heterojunction and p-n 6H-SiC homojunction diodes
AUTORES: Vacas, J; Lahrèche, H; Monteiro, T; Gaspar, C; Pereira, E; Brylinski, C; di Forte Poisson, MA;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 1999 in Materials Science Forum, VOLUME: 338-342
AUTORES: Vacas, J; Lahrèche, H; Monteiro, T; Gaspar, C; Pereira, E; Brylinski, C; di Forte Poisson, MA;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 1999 in Materials Science Forum, VOLUME: 338-342
143
TÃTULO: Crystalline quality of InxGa1-xN samples assessed by SEM, Raman and PL
AUTORES: Correia, R; Seitz, R; Gaspar, C; Monteiro, T; Pereira, E; Heuken, M; Schoen, O; Protzmann, H;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: Conference on Microscopy of Semiconducting Materials in MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1999, PROCEEDINGS, NÚMERO: 164
AUTORES: Correia, R; Seitz, R; Gaspar, C; Monteiro, T; Pereira, E; Heuken, M; Schoen, O; Protzmann, H;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: Conference on Microscopy of Semiconducting Materials in MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1999, PROCEEDINGS, NÚMERO: 164
INDEXADO EM: 
WOS
WOS NO MEU: ResearcherID
ResearcherID144
TÃTULO: Solar energy transmission and concentration by an optical fiber bundle with a frustum-type output end
AUTORES: Liang, DW ; Pires, N; Chaves, J; Semedo, J; Monteiro, LF; Monteiro, MLF; Collares Pereira, M;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: 5th Conference on Nonimaging Optics - Maximum Efficiency Light Transfer in NONIMAGING OPTICS: MAXIMUM EFFICIENCY LIGHT TRANSFER V, VOLUME: 3781
AUTORES: Liang, DW ; Pires, N; Chaves, J; Semedo, J; Monteiro, LF; Monteiro, MLF; Collares Pereira, M;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: 5th Conference on Nonimaging Optics - Maximum Efficiency Light Transfer in NONIMAGING OPTICS: MAXIMUM EFFICIENCY LIGHT TRANSFER V, VOLUME: 3781
INDEXADO EM: 
Scopus WOS
Scopus WOS145
TÃTULO: Mass spectrometry of aliphatic azides Full Text
AUTORES: Oliveira, AM; Barros, MT ; Martins, AM; Cabral, MAR; Dias, AA ; Costa, ML ; Cabral, MH; Moutinho, AMC ; Jennings, KR;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: RAPID COMMUNICATIONS IN MASS SPECTROMETRY, VOLUME: 13, NÚMERO: 7
AUTORES: Oliveira, AM; Barros, MT ; Martins, AM; Cabral, MAR; Dias, AA ; Costa, ML ; Cabral, MH; Moutinho, AMC ; Jennings, KR;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: RAPID COMMUNICATIONS IN MASS SPECTROMETRY, VOLUME: 13, NÚMERO: 7
146
TÃTULO: 2.2 eV luminescence in GaN
AUTORES: Hofmann, DM; Kovalev, D; Steude, G; Volm, D; Meyer, BK; Xavier, C; Monteiro, T; Pereira, E; Mokov, EN; Amano, H; Akasaki, I;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: 1st International Symposium on Gallium Nitride and Related Materials in GALLIUM NITRIDE AND RELATED MATERIALS, VOLUME: 395
AUTORES: Hofmann, DM; Kovalev, D; Steude, G; Volm, D; Meyer, BK; Xavier, C; Monteiro, T; Pereira, E; Mokov, EN; Amano, H; Akasaki, I;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: 1st International Symposium on Gallium Nitride and Related Materials in GALLIUM NITRIDE AND RELATED MATERIALS, VOLUME: 395
INDEXADO EM: Scopus WOS
Scopus WOS NO MEU: 
ORCID | ResearcherID
ORCID | ResearcherID147
TÃTULO: DONOR CONCENTRATION-DEPENDENCE OF GAP LUMINESCENCE
AUTORES: MONTEIRO, T; PEREIRA, E; DOMINGUESADAME, F; PIQUERAS, J;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: 5TH INTERNATIONAL CONF ON SHALLOW IMPURITIES IN SEMICONDUCTORS : PHYSICS AND CONTROL OF IMPURITIES in SHALLOW IMPURITIES IN SEMICONDUCTORS, VOLUME: 117
AUTORES: MONTEIRO, T; PEREIRA, E; DOMINGUESADAME, F; PIQUERAS, J;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: 5TH INTERNATIONAL CONF ON SHALLOW IMPURITIES IN SEMICONDUCTORS : PHYSICS AND CONTROL OF IMPURITIES in SHALLOW IMPURITIES IN SEMICONDUCTORS, VOLUME: 117
INDEXADO EM: WOS
WOS NO MEU: ResearcherID
ResearcherID148
TÃTULO: Spatial distribution of Mn-related emission in GaP studied by cathodoluminescence and photoluminescence Full Text
AUTORES: Piqueras, J; Domínguez-Adame, F; Monteiro, T; Pereira, E;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Materials Chemistry and Physics, VOLUME: 35, NÚMERO: 2
AUTORES: Piqueras, J; Domínguez-Adame, F; Monteiro, T; Pereira, E;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Materials Chemistry and Physics, VOLUME: 35, NÚMERO: 2
149
TÃTULO: LUMINESCENCE OF BROAD BANDS IN MN-DOPED N-TYPE GAP
AUTORES: MONTEIRO, T;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: 10TH COURSE OF THE INTERNATIONAL SCHOOL OF ATOMIC AND MOLECULAR SPECTROSCOPY / NATO ADVANCED STUDY INST ON OPTICAL PROPERTIES OF EXCITED STATES OF SOLIDS in OPTICAL PROPERTIES OF EXCITED STATES IN SOLIDS, VOLUME: 301
AUTORES: MONTEIRO, T;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: 10TH COURSE OF THE INTERNATIONAL SCHOOL OF ATOMIC AND MOLECULAR SPECTROSCOPY / NATO ADVANCED STUDY INST ON OPTICAL PROPERTIES OF EXCITED STATES OF SOLIDS in OPTICAL PROPERTIES OF EXCITED STATES IN SOLIDS, VOLUME: 301
INDEXADO EM: WOS
WOS NO MEU: ResearcherID
ResearcherID150
TÃTULO: Low temperature behaviour of a complex luminescence in Mn-doped GaP in the region of 1.7—1.8 eV Full Text
AUTORES: Teresa Monteiro; Estela Pereira;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: Journal of Luminescence, VOLUME: 53, NÚMERO: 1-6
AUTORES: Teresa Monteiro; Estela Pereira;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: Journal of Luminescence, VOLUME: 53, NÚMERO: 1-6
