61
TÍTULO: Effect of AlN content on the lattice site location of terbium ions in AlxGa1-xN compounds  Full Text
AUTORES: Fialho, M; Rodrigues, J; Magalhaes, S; Correia, MR; Monteiro, T; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 31, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 4
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TÍTULO: Niobium oxides and niobates physical properties: Review and prospects  Full Text
AUTORES: Nico, C; Monteiro, T; Graca, MPF;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: PROGRESS IN MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 80
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 62
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TÍTULO: Exploring the potential of laser assisted flow deposition grown ZnO for photovoltaic applications  Full Text
AUTORES: Rodrigues, J; Cerqueira, AFR; Sousa, MG; Santos, NF; Pimentel, A; Fortunato, E; da Cunha, AF; Monteiro, T; Costa, FM;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS, VOLUME: 177
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 7
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TÍTULO: Analysis of the Tb3+ recombination in ion implanted AlxGa1-xN (0 <= x <= 1) layers  Full Text
AUTORES: Rodrigues, J; Fialho, M; Magalhaes, S; Correia, MR; Rino, L; Alves, E; Neves, AJ; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 178
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
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TÍTULO: Study of damage formation and annealing of implanted III-nitride semiconductors for optoelectronic devices  Full Text
AUTORES: Faye, DN; Fialho, M; Magalhaes, S; Alves, E; Ben Sedrine, N; Rodrigues, J; Correia, MR; Monteiro, T; Bockowski, M; Hoffmann, V; Weyers, M; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 18th International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 379
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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TÍTULO: Structural, optical, and electrical properties of SmNbO4  Full Text
AUTORES: Nico, C; Soares, MRN; Costa, FM; Monteiro, T; Graca, MPF;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 6th International Conference on Advanced Nanomaterials (ANM) in JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 120, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
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TÍTULO: Quantum Well Intermixing and Radiation Effects in InGaN/GaN Multi Quantum Wells
AUTORES: Lorenz, K; Redondo Cubero, A; Lourenco, MB; Sequeira, MC; Peres, M; Freitas, A; Alves, LC; Alves, E; Leitao, MP; Rodrigues, J; Ben Sedrine, N; Correia, MR; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Conference on Gallium Nitride Materials and Devices XI in GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES XI, VOLUME: 9748
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
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TÍTULO: Spectroscopic analysis of the NIR emission in Tm implanted AlxGa1-xN layers  Full Text
AUTORES: Rodrigues, J; Fialho, M; Esteves, TC; Santos, NF; Ben Sedrine, N; Rino, L; Neves, AJ; Lorenz, K; Alves, E; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 120, NÚMERO: 8
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
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