S. K. Estreicher
AuthID: R-006-EMH
1
TÃTULO: The Cu-PL defect and the Cus1Cui3 complex Full Text
AUTORES: Estreicher, SK; Carvalho, A;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: 26th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 407, NÚMERO: 15
AUTORES: Estreicher, SK; Carvalho, A;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: 26th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 407, NÚMERO: 15
2
TÃTULO: Four-copper complexes in Si and the Cu-photoluminescence defect: A first-principles study
AUTORES: Carvalho, A; Backlund, DJ; Estreicher, SK;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 84, NÚMERO: 15
AUTORES: Carvalho, A; Backlund, DJ; Estreicher, SK;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 84, NÚMERO: 15
3
TÃTULO: Lattice isotope effects on the widths of optical transitions in silicon Full Text
AUTORES: Davies, G; Hayama, S; Hao, SQ; Coutinho, J ; Estreicher, SK; Sanati, M; Itoh, KM;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 1st International Workshop on Coordination Action on Defects Relevent to Engineering Silicon-Based Devices in JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 17, NÚMERO: 22
AUTORES: Davies, G; Hayama, S; Hao, SQ; Coutinho, J ; Estreicher, SK; Sanati, M; Itoh, KM;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 1st International Workshop on Coordination Action on Defects Relevent to Engineering Silicon-Based Devices in JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 17, NÚMERO: 22
