Pierre Ruterana
AuthID: R-006-JQQ
1
TÃTULO: Rare earth ion implantation and optical activation in nitride semiconductors for multicolor emission Full Text
AUTORES: Pierre Ruterana; Marie Pierre Chauvat; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 30, NÚMERO: 4
AUTORES: Pierre Ruterana; Marie Pierre Chauvat; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 30, NÚMERO: 4
2
TÃTULO: Mechanisms of Damage Formation during Rare Earth Ion Implantation in Nitride Semiconductors
AUTORES: Pierre Ruterana; Marie Pierre Chauvat; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 52, NÚMERO: 11
AUTORES: Pierre Ruterana; Marie Pierre Chauvat; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 52, NÚMERO: 11
3
TÃTULO: Mechanisms of damage formation in Eu-implanted AlN Full Text
AUTORES: Leclerc, S; Lacroix, B; Declemy, A; Lorenz, K ; Ruterana, P;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 112, NÚMERO: 7
AUTORES: Leclerc, S; Lacroix, B; Declemy, A; Lorenz, K ; Ruterana, P;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 112, NÚMERO: 7
4
TÃTULO: Damage formation in GaN under medium energy range implantation of rare earth ions: A combined TEM, XRD and RBS/C investigation
AUTORES: Lacroix, B; Leclerc, S; Ruterana, P; Declemy, A; Miranda, SMC; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: 2011 MRS Spring Meeting in Materials Research Society Symposium Proceedings, VOLUME: 1342
AUTORES: Lacroix, B; Leclerc, S; Ruterana, P; Declemy, A; Miranda, SMC; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: 2011 MRS Spring Meeting in Materials Research Society Symposium Proceedings, VOLUME: 1342
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TÃTULO: Mechanisms of damage formation in Eu-implanted GaN probed by X-ray diffraction
AUTORES: Lacroix, B; Leclerc, S; Declemy, A; Lorenz, K ; Alves, E ; Ruterana, P;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: EPL, VOLUME: 96, NÚMERO: 4
AUTORES: Lacroix, B; Leclerc, S; Declemy, A; Lorenz, K ; Alves, E ; Ruterana, P;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: EPL, VOLUME: 96, NÚMERO: 4
6
TÃTULO: The high sensitivity of InN under rare earth ion implantation at medium range energy Full Text
AUTORES: Lacroix, B; Chauvat, MP; Ruterana, P; Lorenz, K ; Alves, E ; Syrkin, A;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 44, NÚMERO: 29
AUTORES: Lacroix, B; Chauvat, MP; Ruterana, P; Lorenz, K ; Alves, E ; Syrkin, A;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 44, NÚMERO: 29
7
TÃTULO: A mechanism for damage formation in GaN during rare earth ion implantation at medium range energy and room temperature Full Text
AUTORES: Ruterana, P; Lacroix, B; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 109, NÚMERO: 1
AUTORES: Ruterana, P; Lacroix, B; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 109, NÚMERO: 1
8
TÃTULO: Indium kinetics during the plasma-assisted molecular beam epitaxy of semipolar (11-22) InGaN layers Full Text
AUTORES: Das, A; Magalhaes, S; Kotsar, Y; Kandaswamy, PK; Gayral, B; Lorenz, K ; Alves, E ; Ruterana, P; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 96, NÚMERO: 18
AUTORES: Das, A; Magalhaes, S; Kotsar, Y; Kandaswamy, PK; Gayral, B; Lorenz, K ; Alves, E ; Ruterana, P; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 96, NÚMERO: 18
9
TÃTULO: Optical doping and damage formation in AlN by Eu implantation Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Alves, E ; Gloux, F; Ruterana, P; Peres, M; Neves, AJ ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 107, NÚMERO: 2
AUTORES: Lorenz, K ; Alves, E ; Gloux, F; Ruterana, P; Peres, M; Neves, AJ ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 107, NÚMERO: 2
10
TÃTULO: RE Implantation and Annealing of III-Nitrides
AUTORES: Katharina Lorenz ; Eduardo Alves ; Florence Gloux; Pierre Ruterana;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: RARE EARTH DOPED III-NITRIDES FOR OPTOELECTRONIC AND SPINTRONIC APPLICATIONS, VOLUME: 124
AUTORES: Katharina Lorenz ; Eduardo Alves ; Florence Gloux; Pierre Ruterana;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: RARE EARTH DOPED III-NITRIDES FOR OPTOELECTRONIC AND SPINTRONIC APPLICATIONS, VOLUME: 124
