Patrick R. Briddon
AuthID: R-006-MRG
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TÃTULO: Energy levels of atomic hydrogen in germanium from ab-initio calculations Full Text
AUTORES: Almeida, LM; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Germanium-Based Semiconductors from Materials to Devices held at the 2006 EMRS Spring Meeting in MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 9, NÚMERO: 4-5
AUTORES: Almeida, LM; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Germanium-Based Semiconductors from Materials to Devices held at the 2006 EMRS Spring Meeting in MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 9, NÚMERO: 4-5
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TÃTULO: Vacancy-dioxygen centers in Si-rich SiGe alloys Full Text
AUTORES: Khirunenko, LI; Yu. V Pomozov; Sosnin, MG; Trypachko, MO; Torres, VJB ; Coutinho, J ; Jones, R; Briddon, PR; Abrosimov, NV; Riemann, H;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Germanium-Based Semiconductors from Materials to Devices held at the 2006 EMRS Spring Meeting in MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 9, NÚMERO: 4-5
AUTORES: Khirunenko, LI; Yu. V Pomozov; Sosnin, MG; Trypachko, MO; Torres, VJB ; Coutinho, J ; Jones, R; Briddon, PR; Abrosimov, NV; Riemann, H;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Germanium-Based Semiconductors from Materials to Devices held at the 2006 EMRS Spring Meeting in MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 9, NÚMERO: 4-5
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TÃTULO: Ab initio study of CsI and its surface
AUTORES: Ribeiro, RM; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Sque, SJ; Oberg, S; Shaw, MJ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 74, NÚMERO: 3
AUTORES: Ribeiro, RM; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Jones, R; Sque, SJ; Oberg, S; Shaw, MJ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 74, NÚMERO: 3
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TÃTULO: Ab initio modeling of interstitial oxygen in crystalline SiGe alloys Full Text
AUTORES: Torres, VJB ; Coutinho, J ; Briddon, PR; Barroso, M ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 352, NÚMERO: 9-20
AUTORES: Torres, VJB ; Coutinho, J ; Briddon, PR; Barroso, M ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 352, NÚMERO: 9-20
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TÃTULO: First-principles investigation of a bistable boron-oxygen interstitial pair in Si
AUTORES: Carvalho, A; Jones, R; Sanati, M; Estreicher, SK; Coutinho, J ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 73, NÚMERO: 24
AUTORES: Carvalho, A; Jones, R; Sanati, M; Estreicher, SK; Coutinho, J ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 73, NÚMERO: 24
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TÃTULO: Donor-vacancy complexes in Ge: Cluster and supercell calculations
AUTORES: Coutinho, J ; Oberg, S; Torres, VJB ; Barroso, M ; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 73, NÚMERO: 23
AUTORES: Coutinho, J ; Oberg, S; Torres, VJB ; Barroso, M ; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 73, NÚMERO: 23
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TÃTULO: Hydrogen self-trapping near silicon atoms in Ge-rich SiGe alloys Full Text
AUTORES: Pereira, RN ; Nielsen, BB; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 88, NÚMERO: 14
AUTORES: Pereira, RN ; Nielsen, BB; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 88, NÚMERO: 14
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TÃTULO: Early SiO2 precipitates in Si: Vacancy-oxygen versus interstitial-oxygen clusters Full Text
AUTORES: Torres, VJB ; Coutinho, J ; Jones, R; Barroso, M ; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 23rd International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 376, NÚMERO: 1
AUTORES: Torres, VJB ; Coutinho, J ; Jones, R; Barroso, M ; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 23rd International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 376, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Theory of anharmonicity on bond-centered hydrogen oscillators in silicon Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Torres, VJB ; Pereira, RN ; Nielsen, BB; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 23rd International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 376, NÚMERO: 1
AUTORES: Coutinho, J ; Torres, VJB ; Pereira, RN ; Nielsen, BB; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 23rd International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 376, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Ab-initio modeling of acceptor-hydrogen complexes in CdTe Full Text
AUTORES: Alberto, P ; Torres, VJB ; Coutinho, J ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 23rd International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 376, NÚMERO: 1
AUTORES: Alberto, P ; Torres, VJB ; Coutinho, J ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 23rd International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 376, NÚMERO: 1
