Radheshyam Rai
AuthID: R-000-NEM
141
TÃTULO: Ferroelectric phase transition in calcium tellurite ceramics
AUTORES: Rai, R; Sharma, S; Choudhary, RNP;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Journal of Materials Science Letters, VOLUME: 21, NÚMERO: 4
AUTORES: Rai, R; Sharma, S; Choudhary, RNP;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Journal of Materials Science Letters, VOLUME: 21, NÚMERO: 4
142
TÃTULO: Structural and electrical properties of magnesium tellurite ceramics Full Text
AUTORES: Rai, RS; Sharma, S; Choudhary, RNP;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Ferroelectrics, VOLUME: 275, NÚMERO: 1
AUTORES: Rai, RS; Sharma, S; Choudhary, RNP;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Ferroelectrics, VOLUME: 275, NÚMERO: 1
143
TÃTULO: Malignant Leydig cell tumour of the testis
AUTORES: Powari, M; Kakkar, N; Singh, SK; Rai, RS; Jogai, S;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: UROLOGIA INTERNATIONALIS, VOLUME: 68, NÚMERO: 1
AUTORES: Powari, M; Kakkar, N; Singh, SK; Rai, RS; Jogai, S;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: UROLOGIA INTERNATIONALIS, VOLUME: 68, NÚMERO: 1
144
TÃTULO: Evaluation of candidate metals for dual-metal gate CMOS with HfO<sub>2</sub> gate dielectric
AUTORES: Samavedam, SB; Schaeffer, JK; Gilmer, DC; Dhandapani, V; Tobin, PJ; Mogab, J; Nguyen, BY; Dakshina Murthy, S; Rai, RS; Jiang, ZX; Martin, R; Raymond, MV; Zavala, M; La, LB; Smith, JA; Gregory, RB;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: SILICON MATERIALS-PROCESSING, CHARACTERIZATION AND RELIABILITY, VOLUME: 716
AUTORES: Samavedam, SB; Schaeffer, JK; Gilmer, DC; Dhandapani, V; Tobin, PJ; Mogab, J; Nguyen, BY; Dakshina Murthy, S; Rai, RS; Jiang, ZX; Martin, R; Raymond, MV; Zavala, M; La, LB; Smith, JA; Gregory, RB;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: SILICON MATERIALS-PROCESSING, CHARACTERIZATION AND RELIABILITY, VOLUME: 716
INDEXADO EM: 
WOS
WOS NO MEU: 
ORCID
ORCID145
TÃTULO: Theoretical and experimental investigation of thermal stability of HfO<sub>2</sub>/Si and HfO<sub>2</sub>/SiO<sub>2</sub> interfaces
AUTORES: Liu, CL; Stoker, M; Hegde, RI; Rai, RS; Tobin, PJ;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: MODELING AND NUMERICAL SIMULATION OF MATERIALS BEHAVIOR AND EVOLUTION, VOLUME: 731
AUTORES: Liu, CL; Stoker, M; Hegde, RI; Rai, RS; Tobin, PJ;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: MODELING AND NUMERICAL SIMULATION OF MATERIALS BEHAVIOR AND EVOLUTION, VOLUME: 731
INDEXADO EM: WOS
WOS NO MEU: ORCID
ORCID146
TÃTULO: Growth and characterization of K<sub>2</sub>Cr<sub>2</sub>O<sub>7</sub> doped PbI<sub>2</sub> single crystal
AUTORES: Kumar, S; Momeen; Khan, MY; Rai, R;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: PROCEEDINGS OF THE ELEVENTH INTERNATIONAL WORKSHOP ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTOR DEVICES, VOL 1 & 2, VOLUME: 4746
AUTORES: Kumar, S; Momeen; Khan, MY; Rai, R;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: PROCEEDINGS OF THE ELEVENTH INTERNATIONAL WORKSHOP ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTOR DEVICES, VOL 1 & 2, VOLUME: 4746
INDEXADO EM: WOS
WOS NO MEU: ORCID
ORCID147
TÃTULO: Thermodynamic stability of high-<i>K</i> dielectric metal oxides ZrO<sub>2</sub> and HfO<sub>2</sub> in contact with Si and SiO<sub>2</sub>
AUTORES: Gutowski, M; Jaffe, JE; Liu, CL; Stoker, M; Hegde, RI; Rai, RS; Tobin, PJ;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 80, NÚMERO: 11
AUTORES: Gutowski, M; Jaffe, JE; Liu, CL; Stoker, M; Hegde, RI; Rai, RS; Tobin, PJ;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 80, NÚMERO: 11
INDEXADO EM: WOS
WOS NO MEU: ORCID
ORCID148
TÃTULO: Theoretical and experimental investigation of boron diffusion in polycrystalline HfO<sub>2</sub> films
AUTORES: Liu, CL; Jiang, ZX; Hegde, RI; Sieloff, DD; Rai, RS; Gilmer, DC; Hobbs, CC; Tobin, PJ; Lu, SF;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 81, NÚMERO: 8
AUTORES: Liu, CL; Jiang, ZX; Hegde, RI; Sieloff, DD; Rai, RS; Gilmer, DC; Hobbs, CC; Tobin, PJ; Lu, SF;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 81, NÚMERO: 8
149
TÃTULO: Study of phase transition and equation of state for rubidium halides
AUTORES: Singh, S; Singh, RK; Rai, R; Singh, BP;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN, VOLUME: 68, NÚMERO: 4
AUTORES: Singh, S; Singh, RK; Rai, R; Singh, BP;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN, VOLUME: 68, NÚMERO: 4
150
TÃTULO: Surface and interface roughness of ultrathin nitric oxide oxynitride gate dielectric
AUTORES: Hegde, RI; Maiti, B; Rai, RS; Reid, KG; Tobin, PJ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, VOLUME: 145, NÚMERO: 1
AUTORES: Hegde, RI; Maiti, B; Rai, RS; Reid, KG; Tobin, PJ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, VOLUME: 145, NÚMERO: 1
