491
TÍTULO: Polymorphous silicon deposited in large area reactor at 13 and 27 MHz  Full Text
AUTORES: Águas, H; Roca i Cabarrocas, P; Lebib, S; Silva, V; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 427, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: CrossRef
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492
TÍTULO: Influence of the deposition pressure on the properties of transparent and conductive ZnO:Ga thin-film produced by r.f. sputtering at room temperature  Full Text
AUTORES: Assunção, V; Fortunato, E; Marques, A; Águas, H; Ferreira, I; M.E.V Costa; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 427, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: CrossRef
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493
TÍTULO: Spectroscopic ellipsometry study of amorphous silicon anodically oxidised  Full Text
AUTORES: Águas, H; Gonçalves, A; Pereira, L; Silva, R; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 427, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: CrossRef
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494
TÍTULO: New challenges on gallium-doped zinc oxide films prepared by r.f. magnetron sputtering  Full Text
AUTORES: Vitor Assunção; Elvira Fortunato; António Marques; Alexandra Gonçalves; Isabel Ferreira; Hugo Águas; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 442, NÚMERO: 1-2
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495
TÍTULO: Large Area Deposition of Polymorphous Silicon by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition at 27.12 MHz and 13.56 MHz
AUTORES: Águas, H; Silva, V; Fortunato, E; Lebib, S; Roca i Cabarrocas, P; Ferreira, I; Guimarães, L; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Jpn. J. Appl. Phys. - Japanese Journal of Applied Physics, VOLUME: 42, NÚMERO: Part 1, No. 8
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496
TÍTULO: High quality a-Si:H films for MIS device applications  Full Text
AUTORES: Águas, H; Fortunato, E; Silva, V; Pereira, L; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 403-404
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID
497
TÍTULO: Influence of a DC grid on silane r.f. plasma properties  Full Text
AUTORES: Hugo Águas; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Vacuum, VOLUME: 64, NÚMERO: 3-4
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID
498
TÍTULO: Role of the i layer surface properties on the performance of a-Si:H Schottky barrier photodiodes  Full Text
AUTORES: Águas, H; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Sensors and Actuators A: Physical, VOLUME: 99, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID
499
TÍTULO: Study of the Sensing Mechanism of SnO<sub>2</sub> Thin-Film Gas Sensors Using Hall Effect Measurements
AUTORES: Lopes, A; Patrícia Nunes; Paula M Vilarinho; Regina da Conceição Corredeira Monteiro; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Key Engineering Materials, VOLUME: 230-232
INDEXADO EM: CrossRef: 3
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500
TÍTULO: Thin film metal oxide semiconductors deposited on polymeric substrates
AUTORES: Fortunato, E; Nunes, P; Marques, A; Costa, D; Aguas, H; Ferreira, I; Costa, MEV; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Transport and Microstructural Phenomena in Oxide Electronics in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 666
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