José Pedro de Abreu Coutinho
AuthID: R-000-8V3
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TÃTULO: Adsorption of H-2, O-2, H2O, OH and H on monolayer MoS2
AUTORES: Ferreira, F; Carvalho, A; Moura, IJM; Coutinho, J; Ribeiro, RM;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 30, NÚMERO: 3
AUTORES: Ferreira, F; Carvalho, A; Moura, IJM; Coutinho, J; Ribeiro, RM;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 30, NÚMERO: 3
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TÃTULO: Tutorial: Junction spectroscopy techniques and deep-level defects in semiconductors
AUTORES: Peaker, AR; Markevich, VP; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS) in JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 123, NÚMERO: 16
AUTORES: Peaker, AR; Markevich, VP; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS) in JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 123, NÚMERO: 16
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TÃTULO: Double negatively charged carbon vacancy at the h- and k-sites in 4H-SiC: Combined Laplace-DLTS and DFT study
AUTORES: Capan, I; Brodar, T; Pastuovic, Z; Siegele, R; Ohshima, T; Sato, S; Makino, T; Snoj, L; Radulovic, V; Coutinho, J; Torres, VJB; Demmouche, K;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS) in JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 123, NÚMERO: 16
AUTORES: Capan, I; Brodar, T; Pastuovic, Z; Siegele, R; Ohshima, T; Sato, S; Makino, T; Snoj, L; Radulovic, V; Coutinho, J; Torres, VJB; Demmouche, K;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS) in JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 123, NÚMERO: 16
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TÃTULO: Lifetime degradation of n-type Czochralski silicon after hydrogenation
AUTORES: Vaqueiro Contreras, M; Markevich, VP; Mullins, J; Halsall, MP; Murin, LI; Falster, R; Binns, J; Coutinho, J; Peaker, AR;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS) in JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 123, NÚMERO: 16
AUTORES: Vaqueiro Contreras, M; Markevich, VP; Mullins, J; Halsall, MP; Murin, LI; Falster, R; Binns, J; Coutinho, J; Peaker, AR;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS) in JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 123, NÚMERO: 16
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TÃTULO: Optoelectronics and defect levels in hydroxyapatite by first-principles
AUTORES: Avakyan, LA; Paramonova, EV; Coutinho, J; Oberg, S; Bystrov, VS; Bugaev, LA;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, VOLUME: 148, NÚMERO: 15
AUTORES: Avakyan, LA; Paramonova, EV; Coutinho, J; Oberg, S; Bystrov, VS; Bugaev, LA;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, VOLUME: 148, NÚMERO: 15
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TÃTULO: First-principles calculations of iron-hydrogen reactions in silicon
AUTORES: Santos, P; Coutinho, J; Oberg, S;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 123, NÚMERO: 24
AUTORES: Santos, P; Coutinho, J; Oberg, S;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 123, NÚMERO: 24
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TÃTULO: Multiscale in modelling and validation for solar photovoltaics Full Text
AUTORES: Hamed, T; Adamovic, N; Aeberhard, U; Alonso Alvarez, D; Amin Akhlaghi, Z; Maur, MAD; Beattie, N; Bednar, N; Berland, K; Birner, S; Califano, M; Capan, I; Cerne, B; Chilibon, I; Connolly, JP; Juan, F; Coutinho, J; David, C; Deppert, K; Donchev, V; ...Mais
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: EPJ PHOTOVOLTAICS, VOLUME: 9
AUTORES: Hamed, T; Adamovic, N; Aeberhard, U; Alonso Alvarez, D; Amin Akhlaghi, Z; Maur, MAD; Beattie, N; Bednar, N; Berland, K; Birner, S; Califano, M; Capan, I; Cerne, B; Chilibon, I; Connolly, JP; Juan, F; Coutinho, J; David, C; Deppert, K; Donchev, V; ...Mais
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: EPJ PHOTOVOLTAICS, VOLUME: 9
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TÃTULO: Laplace DLTS study of deep defects created in neutron-irradiated n-type 4H-SiC
AUTORES: Brodar, T; Capan, I; Radulovic, V; Snoj, L; Pastuovic, Z; Coutinho, J; Ohshima, T;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 437
AUTORES: Brodar, T; Capan, I; Radulovic, V; Snoj, L; Pastuovic, Z; Coutinho, J; Ohshima, T;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 437
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TÃTULO: Electronic exchange-correlation, many-body effect issues on first-principles calculations of bulk SiC polytypes
AUTORES: Demmouche, K; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, VOLUME: 32, NÚMERO: 29
AUTORES: Demmouche, K; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, VOLUME: 32, NÚMERO: 29
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TÃTULO: Atomic and electronic structure of the Si(331)-(12 x 1) surface
AUTORES: Zhachuk, R; Coutinho, J; Palotas, K;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, VOLUME: 149, NÚMERO: 20
AUTORES: Zhachuk, R; Coutinho, J; Palotas, K;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, VOLUME: 149, NÚMERO: 20
