Katharina Lorenz
AuthID: R-000-90E
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TÃTULO: Combining MD-LAMMPS and MC-McChasy2 codes for dislocation simulations of Ni single crystal structure
AUTORES: Mieszczynski, Cyprian; Jozwik, Przemyslaw; Skrobas, Kazimierz; Stefanska Skrobas, Kamila; Ratajczak, Renata; Jagielski, Jacek; Garrido, Frederico; Wyszkowska, Edyta; Azarov, Alexander; Lorenz, Katharina; Alves, Eduardo;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 540
AUTORES: Mieszczynski, Cyprian; Jozwik, Przemyslaw; Skrobas, Kazimierz; Stefanska Skrobas, Kamila; Ratajczak, Renata; Jagielski, Jacek; Garrido, Frederico; Wyszkowska, Edyta; Azarov, Alexander; Lorenz, Katharina; Alves, Eduardo;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 540
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TÃTULO: Combining x-ray real and reciprocal space mapping techniques to explore the epitaxial growth of semiconductors Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Cabaço, JS; Concepción, O; Buca, D; Stachowicz, M; Oliveira, F; Cerqueira, MF; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics, VOLUME: 56, NÚMERO: 24
AUTORES: Magalhães, S; Cabaço, JS; Concepción, O; Buca, D; Stachowicz, M; Oliveira, F; Cerqueira, MF; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics, VOLUME: 56, NÚMERO: 24
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TÃTULO: Extracting defect profiles in ion-implanted GaN from ion channeling
AUTORES: Caçador, A; Jóźwik, P; Magalhães, S; Marques, JG; Wendler, E; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: Materials Science in Semiconductor Processing, VOLUME: 166
AUTORES: Caçador, A; Jóźwik, P; Magalhães, S; Marques, JG; Wendler, E; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: Materials Science in Semiconductor Processing, VOLUME: 166
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TÃTULO: Cd implantation in
<math><mrow><mi>α</mi><mtext>−</mtext><msub><mi>MoO</mi><mn>3</mn></msub></mrow></math>
: An atomic scale study
AUTORES: Adeleh Mokhles Gerami; Juliana Heiniger-Schell; Lora L da Silva ; Messias S Costa; Cleidilane S Costa; João G Monteiro; José J Pires; Daniela R Pereira; Carlos Díaz-Guerra; Artur W Carbonari; Katharina Lorenz; João G Correia;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: Physical Review Materials, VOLUME: 7, NÚMERO: 3
AUTORES: Adeleh Mokhles Gerami; Juliana Heiniger-Schell; Lora L da Silva ; Messias S Costa; Cleidilane S Costa; João G Monteiro; José J Pires; Daniela R Pereira; Carlos Díaz-Guerra; Artur W Carbonari; Katharina Lorenz; João G Correia;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: Physical Review Materials, VOLUME: 7, NÚMERO: 3
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TÃTULO: Suitability of 3D printed nanostructured zirconia pieces for dental applications (vol 36, pg 442, 2020) Full Text
AUTORES: Branco, A. C.; Silva, R.; Santos, T.; Jorge, H.; Rodrigues, A. R.; Fernandes, R.; Bandarra, S.; Barahona, I.; Matos, A. P. A.; Lorenz, K.; Polido, M.; Colaco, R.; Serro, A. P.; Figueiredo Pina, C. G.;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: DENTAL MATERIALS, VOLUME: 39, NÚMERO: 9
AUTORES: Branco, A. C.; Silva, R.; Santos, T.; Jorge, H.; Rodrigues, A. R.; Fernandes, R.; Bandarra, S.; Barahona, I.; Matos, A. P. A.; Lorenz, K.; Polido, M.; Colaco, R.; Serro, A. P.; Figueiredo Pina, C. G.;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: DENTAL MATERIALS, VOLUME: 39, NÚMERO: 9
INDEXADO EM: WOS
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TÃTULO: Cu(In,Ga)Se2-based solar cells for space applications: proton irradiation and annealing recovery Full Text
AUTORES: Candeias, Maria B.; Fernandes, Tiago V.; Falcao, Bruno P.; Cunha, Antonio F.; Cunha, Jose M. V.; Barbosa, Joao; Teixeira, Jennifer P.; Fernandes, Paulo A.; Peres, Marco; Lorenz, Katharina; Salome, Pedro M. P.; Leitao, Joaquim P.;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 58, NÚMERO: 42
AUTORES: Candeias, Maria B.; Fernandes, Tiago V.; Falcao, Bruno P.; Cunha, Antonio F.; Cunha, Jose M. V.; Barbosa, Joao; Teixeira, Jennifer P.; Fernandes, Paulo A.; Peres, Marco; Lorenz, Katharina; Salome, Pedro M. P.; Leitao, Joaquim P.;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 58, NÚMERO: 42
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TÃTULO: Thermoluminescence Studies of Proton-Irradiated Cr-, Mg-Codoped β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>
AUTORES: Esteves, Duarte Magalhaes; Rodrigues, Ana Luisa; Dias, Maria Isabel; Alves, Luis Cerqueira; Jia, Zhitai; Mu, Wenxiang; Lorenz, Katharina; Peres, Marco;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: ACS OMEGA, VOLUME: 8, NÚMERO: 50
AUTORES: Esteves, Duarte Magalhaes; Rodrigues, Ana Luisa; Dias, Maria Isabel; Alves, Luis Cerqueira; Jia, Zhitai; Mu, Wenxiang; Lorenz, Katharina; Peres, Marco;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: ACS OMEGA, VOLUME: 8, NÚMERO: 50
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TÃTULO: Role of the metal supply pathway on silicon patterning by oblique ion beam sputtering
AUTORES: Redondo Cubero, A.; Palomares, F. J.; Lorenz, K.; Rubio Zuazo, J.; Huebner, R.; Mompean, F. J.; Garcia Hernandez, M.; Castro, G. R.; Vazquez, L.;
PUBLICAÇÃO: 2022, FONTE: APPLIED SURFACE SCIENCE, VOLUME: 580
AUTORES: Redondo Cubero, A.; Palomares, F. J.; Lorenz, K.; Rubio Zuazo, J.; Huebner, R.; Mompean, F. J.; Garcia Hernandez, M.; Castro, G. R.; Vazquez, L.;
PUBLICAÇÃO: 2022, FONTE: APPLIED SURFACE SCIENCE, VOLUME: 580
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TÃTULO: Surface nanopatterning by ion beam irradiation: Compositional effects
AUTORES: Vázquez L.; Redondo-Cubero A.; Lorenz K.; Palomares F.J.; Cuerno R.;
PUBLICAÇÃO: 2022, FONTE: Journal of Physics Condensed Matter, VOLUME: 34, NÚMERO: 33
AUTORES: Vázquez L.; Redondo-Cubero A.; Lorenz K.; Palomares F.J.; Cuerno R.;
PUBLICAÇÃO: 2022, FONTE: Journal of Physics Condensed Matter, VOLUME: 34, NÚMERO: 33
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TÃTULO: Enhancing the luminescence yield of Cr3+ in beta-Ga2O3 by proton irradiation Full Text
AUTORES: Peres, M.; M. Esteves, D.; Teixeira, B. M. S.; Zanoni, J.; Alves, L. C.; Alves, E.; Santos, L. F.; Biquard, X.; Jia, Z.; Mu, W.; Rodrigues, J.; Sobolev, N. A.; Correia, M. R.; Monteiro, T.; Ben Sedrine, N.; Lorenz, K.;
PUBLICAÇÃO: 2022, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 120, NÚMERO: 26
AUTORES: Peres, M.; M. Esteves, D.; Teixeira, B. M. S.; Zanoni, J.; Alves, L. C.; Alves, E.; Santos, L. F.; Biquard, X.; Jia, Z.; Mu, W.; Rodrigues, J.; Sobolev, N. A.; Correia, M. R.; Monteiro, T.; Ben Sedrine, N.; Lorenz, K.;
PUBLICAÇÃO: 2022, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 120, NÚMERO: 26