Vitor José Babau Torres


AuthID: R-000-HKG

Publicações Confirmadas: 64



1
TÍTULO: Born effective charges of Cu2ZnSnS4 quaternary compound: First principles calculations  Full Text
AUTORES: Oliveira, TA; Coutinho, J ; Torres, VJB ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: Symposium B on Thin Film Chalcogenide Photovoltaic Materials of the 11th E-MRS Spring Meetings in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 535, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 6
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2
TÍTULO: Ab initio modelling of boron related defects in amorphous silicon. Ab initio modelling of boron related defects in amorphous silicon  Full Text
AUTORES: Tiago A Oliveira; Vtor J B Torres ;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: Symposium A on Advanced Silicon Materials Research for Electronic and Photovoltaic Applications III / Spring Meeting of the European-Materials-Reseach-Society (E-MRS) in PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 10-11, VOLUME: 9, NÚMERO: 10-11
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
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3
TÍTULO: Re-examination of the SiGe Raman spectra: Percolation/one-dimensional-cluster scheme and ab initio calculations
AUTORES: Pages, O; Souhabi, J; Torres, VJB ; Postnikov, AV; Rustagi, KC;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 86, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS
4
TÍTULO: Electronic structure of Zn, Cu and Ni impurities in germanium  Full Text
AUTORES: Silva, EL; Coutinho, J ; Carvalho, A; Torres, VJB ; Barroso, M ; Jones, R; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 23, NÚMERO: 6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID
5
TÍTULO: Structure and electronic properties of trivacancy and trivacancy-oxygen complexes in silicon  Full Text
AUTORES: Markevich, VP; Peaker, AR; Hamilton, B; Lastovskii, SB; Murin, LI; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Dobaczewski, L; Svensson, BG;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 208, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 24
NO MEU: ORCID
6
TÍTULO: Electronic structural details of donor-vacancy complexes in Si-doped Ge and Ge-doped Si  Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Castro, F; Torres, VJB ; Carvalho, A; Barroso, M ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Symposium on Silicon and Germanium Issues for Future CMOS Devices held at the 2009 E-MRS Spring Meeting in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 518, NÚMERO: 9
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
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7
TÍTULO: Trivacancy and trivacancy-oxygen complexes in silicon: Experiments and ab initio modeling
AUTORES: Markevich, VP; Peaker, AR; Lastovskii, SB; Murin, LI; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Briddon, PR; Dobaczewski, L; Monakhov, EV; Svensson, BG;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 80, NÚMERO: 23
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 42
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8
TÍTULO: Trivacancy in silicon: A combined DLTS and ab-initio modeling study  Full Text
AUTORES: Markevich, VP; Peaker, AR; Lastovskii, SB; Murin, LI; Coutinho, J ; Markevich, AV; Torres, VJB ; Briddon, PR; Dobaczewski, L; Monakhov, EV; Svensson, BG;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 25th International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 404, NÚMERO: 23-24
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 8
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9
TÍTULO: Ab-initio vibrational properties of SiGe alloys  Full Text
AUTORES: Torres, VJB ; Coutinho, J ; Briddon, PR; Barroso, M ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: THIN SOLID FILMS, VOLUME: 517, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 8
NO MEU: ORCID
10
TÍTULO: Formation of interstitial carbon-interstitial oxygen complexes in silicon: Local vibrational mode spectroscopy and density functional theory
AUTORES: Khirunenko, LI; Sosnin, MG; Yu. V Pomozov; Murin, LI; Markevich, VP; Peaker, AR; Almeida, LM; Coutinho, J ; Torres, VJB ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 78, NÚMERO: 15
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 15
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