Katharina Lorenz


AuthID: R-000-90E

Publicações Confirmadas: 129



121
TÍTULO: Defect recovery in AIN and InN after heavy ion implantation  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002) in INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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122
TÍTULO: Reversible changes in the lattice site structure for In implanted into GaN  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Ruske, F; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 80, NÚMERO: 24
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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123
TÍTULO: Annealing behaviour of GaN after implantation with hafnium and indium  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Ruske, F; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Physica Status Solidi (B) Basic Research, VOLUME: 228, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus CrossRef
124
TÍTULO: Dopants in semiconductors studied by perturbed angular correlation
AUTORES: Bartels, J; Lorenz, K ; Ruske, F; Tessema, G; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 36th Zakopane-School-of-Physics International Symposium on Condensed Matter Studies with Nuclear Methods in ACTA PHYSICA POLONICA A, VOLUME: 100, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
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125
TÍTULO: Extended x-ray absorption fine structure and photoluminescence study of Er-implanted GaN films
AUTORES: Wruck, D; Lorenz, K ; Vianden, R; Reinhold, B; Mahnke, HE; Baranowski, JM; Pakula, K; Parthier, L; Henneberger, F;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 16, NÚMERO: 11
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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126
TÍTULO: Optical doping of nitrides by ion implantation  Full Text
AUTORES: Alves, E ; Lorenz, K ; Vianden, R; Boemare, C; Soares, MJ ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Workshop on Advanced Materials Produced and Analyzed with Ion Beams in MODERN PHYSICS LETTERS B, VOLUME: 15, NÚMERO: 28-29
INDEXADO EM: Scopus WOS
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127
TÍTULO: Photoluminescence and lattice location of Eu and Pr implanted GaN samples  Full Text
AUTORES: Monteiro, T ; Boemare, C; Soares, MJ ; Ferreira, RAS ; Carlos, LD ; Lorenz, K ; Vianden, R; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 21st International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 308
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 78
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128
TÍTULO: Defect trapping and annealing for transition metal implants in group III nitrides
AUTORES: Lorenz, K ; Vianden, R; Pearton, SJ; Abernathy, CR; Zavada, JM;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: MRS INTERNET JOURNAL OF NITRIDE SEMICONDUCTOR RESEARCH, VOLUME: 5, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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129
TÍTULO: RBS/channeling study of Er doped GaN films grown by MBE on Si(111) substrates  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Vianden, R; Birkhahn, R; Steckl, AJ; da Silva, MF; Soares, JC; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: 14th International Conference on Ion Beam Analysis/6th European Conference on Accelerators in Applied Research and Technology in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 161
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