Nuno Pedro Serras Lucas Nobre Franco
AuthID: R-000-KNV
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TÃTULO: Interpretation of double x-ray diffraction peaks from InGaN layers (vol 79, pg 1432, 2001) Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 80, NÚMERO: 2
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 80, NÚMERO: 2
INDEXADO EM: 
Scopus 
WOS
Scopus WOS142
TÃTULO: Degradation of structural and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells with increasing number of wells Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Barradas, NP ; Sequeira, AD; Franco, N; Watson, IM; Liu, C;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002) in INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, NÚMERO: 1
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Barradas, NP ; Sequeira, AD; Franco, N; Watson, IM; Liu, C;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002) in INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Analysis of strain depth variations in an In(0.19)Ga(0.81)N layer by Raman spectroscopy Full Text
AUTORES: Correia, MR ; Pereira, S ; Pereira, E; Frandon, J; Renucci, MA; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002) in INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, NÚMERO: 1
AUTORES: Correia, MR ; Pereira, S ; Pereira, E; Frandon, J; Renucci, MA; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002) in INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Erratum: “Interpretation of double x-ray diffraction peaks from InGaN layers” [Appl. Phys. Lett. 79, 1432 (2001)] Full Text
AUTORES: Pereira, S; Correia, MR; Pereira, E; O’Donnell, KP; Alves, E; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 80, NÚMERO: 2
AUTORES: Pereira, S; Correia, MR; Pereira, E; O’Donnell, KP; Alves, E; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 80, NÚMERO: 2
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TÃTULO: RBS analysis of MBE grown SiGe/(001)Si heterostructures with thin high Ge content SiGe channels for HMOS transistors Full Text
AUTORES: Barradas, NP ; Sequeira, AD; Franco, N; Myronov, M; Mironov, OA; Phillips, PJ; Parker, EHC;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Workshop on Advanced Materials Produced and Analyzed with Ion Beams in MODERN PHYSICS LETTERS B, VOLUME: 15, NÚMERO: 28-29
AUTORES: Barradas, NP ; Sequeira, AD; Franco, N; Myronov, M; Mironov, OA; Phillips, PJ; Parker, EHC;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Workshop on Advanced Materials Produced and Analyzed with Ion Beams in MODERN PHYSICS LETTERS B, VOLUME: 15, NÚMERO: 28-29
INDEXADO EM: Scopus WOS
Scopus WOS146
TÃTULO: Depth resolved studies of indium content and strain in InGaN layers Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Trager Cowan, C; Sweeney, F; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 4th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, VOLUME: 228, NÚMERO: 1
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Trager Cowan, C; Sweeney, F; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 4th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, VOLUME: 228, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Interpretation of double x-ray diffraction peaks from InGaN layers Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 79, NÚMERO: 10
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 79, NÚMERO: 10
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TÃTULO: Fe ion implantation in GaN: Damage, annealing, and lattice site location Full Text
AUTORES: Liu, C; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; da Silva, MF; Soares, JC ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 90, NÚMERO: 1
AUTORES: Liu, C; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; da Silva, MF; Soares, JC ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 90, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Amorphization of GaN by ion implantation Full Text
AUTORES: Liu, C; Wenzel, A; Rauschenbach, B; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; da Silva, MF; Soares, JC ; Fan, XJ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: E-MRS Spring Meeting on Materials Science with Ion Beams in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 178, NÚMERO: 1-4
AUTORES: Liu, C; Wenzel, A; Rauschenbach, B; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; da Silva, MF; Soares, JC ; Fan, XJ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: E-MRS Spring Meeting on Materials Science with Ion Beams in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 178, NÚMERO: 1-4
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TÃTULO: Coherent amorphization of Ge/Si multilayers with ion beams Full Text
AUTORES: Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; da Silva, MF; Soares, JC ; Sobolev, NA; Carmo, MC;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: E-MRS Spring Meeting on Materials Science with Ion Beams in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 178, NÚMERO: 1-4
AUTORES: Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; da Silva, MF; Soares, JC ; Sobolev, NA; Carmo, MC;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: E-MRS Spring Meeting on Materials Science with Ion Beams in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 178, NÚMERO: 1-4
