Andrés Redondo Cubero
AuthID: R-000-Z0D
121
TÃTULO: Photoluminescence enhancement in quaternary III-nitrides alloys grown by molecular beam epitaxy with increasing Al content Full Text
AUTORES: Fernandez Garrido, S; Pereiro, J; Gonzalez Posada, F; Munoz, E; Calleja, E; Redondo Cubero, A; Gago, R;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 103, NÚMERO: 4
AUTORES: Fernandez Garrido, S; Pereiro, J; Gonzalez Posada, F; Munoz, E; Calleja, E; Redondo Cubero, A; Gago, R;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 103, NÚMERO: 4
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TÃTULO: Study of SiNx : H-y passivant layers for AlGaN/GaN high electron mobility transistors Full Text
AUTORES: Redondo Cubero, A; Gago, R; Romero, MF; Jimenez, A; Gonzalez Posada, F; Brana, AF; Munoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: E-MRS 2007 Spring Meeting-Symposium F Novel Gain Materials and Devices Based on III-N-V Compounds in PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 2 2008, VOLUME: 5, NÚMERO: 2
AUTORES: Redondo Cubero, A; Gago, R; Romero, MF; Jimenez, A; Gonzalez Posada, F; Brana, AF; Munoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: E-MRS 2007 Spring Meeting-Symposium F Novel Gain Materials and Devices Based on III-N-V Compounds in PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 2 2008, VOLUME: 5, NÚMERO: 2
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TÃTULO: Rutherford backscattering spectrometry characterization of nanoporous chalcogenide thin films grown at oblique angles Full Text
AUTORES: Martin Palma, RJ; Redondo Cubero, A; Gago, R; Ryan, JV; Pantano, CG;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: JOURNAL OF ANALYTICAL ATOMIC SPECTROMETRY, VOLUME: 23, NÚMERO: 7
AUTORES: Martin Palma, RJ; Redondo Cubero, A; Gago, R; Ryan, JV; Pantano, CG;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: JOURNAL OF ANALYTICAL ATOMIC SPECTROMETRY, VOLUME: 23, NÚMERO: 7
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TÃTULO: Tuning the surface morphology in self-organized ion beam nanopatterning of Si(001) via metal incorporation: from holes to dots Full Text
AUTORES: Sanchez Garcia, JA; Vazquez, L; Gago, R; Redondo Cubero, A; Albella, JM; Zs Czigany;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 19, NÚMERO: 35
AUTORES: Sanchez Garcia, JA; Vazquez, L; Gago, R; Redondo Cubero, A; Albella, JM; Zs Czigany;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 19, NÚMERO: 35
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TÃTULO: Effect of the growth temperature and the AlN mole fraction on In incorporation and properties of quaternary III-nitride layers grown by molecular beam epitaxy Full Text
AUTORES: Fernandez Garrido, S; Redondo Cubero, A; Gago, R; Bertram, F; Christen, J; Luna, E; Trampert, A; Pereiro, J; Munoz, E; Calleja, E;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 104, NÚMERO: 8
AUTORES: Fernandez Garrido, S; Redondo Cubero, A; Gago, R; Bertram, F; Christen, J; Luna, E; Trampert, A; Pereiro, J; Munoz, E; Calleja, E;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 104, NÚMERO: 8
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TÃTULO: Aluminium incorporation in AlxGa1-xN/GaN heterostructures: A comparative study by ion beam analysis and X-ray diffraction Full Text
AUTORES: Redondo Cubero, A; Gago, R; Gonzalez Posada, F; Kreissig, U; di Forte F Poisson; Brana, AF; Munoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: THIN SOLID FILMS, VOLUME: 516, NÚMERO: 23
AUTORES: Redondo Cubero, A; Gago, R; Gonzalez Posada, F; Kreissig, U; di Forte F Poisson; Brana, AF; Munoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: THIN SOLID FILMS, VOLUME: 516, NÚMERO: 23
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TÃTULO: Aluminium incorporation in AlxGa1−xN/GaN heterostructures: A comparative study by ion beam analysis and X-ray diffraction Full Text
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Gago, R; González-Posada, F; Kreissig, U; M.-A di Forte Poisson; A.F Braña; Muñoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 516, NÚMERO: 23
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Gago, R; González-Posada, F; Kreissig, U; M.-A di Forte Poisson; A.F Braña; Muñoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 516, NÚMERO: 23
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TÃTULO: Rutherford backscattering spectrometry characterization of nanoporous chalcogenide thin films grown at oblique angles Full Text
AUTORES: Martín-Palma, RJ; Redondo-Cubero, A; Gago, R; Ryan, JV; Pantano, CG;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: Journal of Analytical Atomic Spectrometry - J. Anal. At. Spectrom., VOLUME: 23, NÚMERO: 7
AUTORES: Martín-Palma, RJ; Redondo-Cubero, A; Gago, R; Ryan, JV; Pantano, CG;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: Journal of Analytical Atomic Spectrometry - J. Anal. At. Spectrom., VOLUME: 23, NÚMERO: 7
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TÃTULO: Photoluminescence enhancement in quaternary III-nitrides alloys grown by molecular beam epitaxy with increasing Al content Full Text
AUTORES: Fernández-Garrido, S; Pereiro, J; González-Posada, F; Muñoz, E; Calleja, E; Redondo-Cubero, A; Gago, R;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 103, NÚMERO: 4
AUTORES: Fernández-Garrido, S; Pereiro, J; González-Posada, F; Muñoz, E; Calleja, E; Redondo-Cubero, A; Gago, R;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 103, NÚMERO: 4
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TÃTULO: Effect of the growth temperature and the AlN mole fraction on In incorporation and properties of quaternary III-nitride layers grown by molecular beam epitaxy Full Text
AUTORES: Fernández-Garrido, S; Redondo-Cubero, A; Gago, R; Bertram, F; Christen, J; Luna, E; Trampert, A; Pereiro, J; Muñoz, E; Calleja, E;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 104, NÚMERO: 8
AUTORES: Fernández-Garrido, S; Redondo-Cubero, A; Gago, R; Bertram, F; Christen, J; Luna, E; Trampert, A; Pereiro, J; Muñoz, E; Calleja, E;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 104, NÚMERO: 8
