271
TÍTULO: Agy:TiNx thin films for dry biopotential electrodes: the effect of composition and structural changes on the electrical and mechanical behaviours  Full Text
AUTORES: Pedrosa, P; Machado, D; Borges, J; Rodrigues, MS; Alves, E; Barradas, NP; Martin, N; Evaristo, M; Cavaleiro, A; Fonseca, C ; Vaz, F;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Applied Physics A: Materials Science and Processing, VOLUME: 119, NÚMERO: 1
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NO MEU: ORCID
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TÍTULO: High In-content InGaN layers synthesized by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Growth conditions, strain relaxation, and In incorporation kinetics  Full Text
AUTORES: Valdueza-Felip, S; Bellet-Amalric, E; Núñez-Cascajero, A; Wang, Y; M.-P Chauvat; Ruterana, P; Pouget, S; Lorenz, K; Alves, E; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 116, NÚMERO: 23
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NO MEU: ORCID
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TÍTULO: CHARACTERIZATION OF GaInSb CRYSTAL OBTAINED BY CZOCHRALSKI METHOD
AUTORES: Morgana Streicher; Victoria Corrigidor; L.C. Alves; N. Franco; E. Alves; Eleani M da Costa; Berenice A Dedavid;
PUBLICAÇÃO: 2014
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TÍTULO: Meshless analysis of shear deformable shells: the linear model  Full Text
AUTORES: Jorge C Costa; Carlos M Tiago ; Paulo M Pimenta;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: COMPUTATIONAL MECHANICS, VOLUME: 52, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
275
TÍTULO: N-glycosylation analysis by HPAEC-PAD and mass spectrometry
AUTORES: Kandzia, S; Costa, J;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: Methods in Molecular Biology, VOLUME: 1049
INDEXADO EM: Scopus CrossRef
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TÍTULO: Studies on deuterium retention in W-Ta based materials
AUTORES: Dias, M; Mateus, R; Catarino, N; Livramento, V; Correia, JB; Carvalho, PA; Hanada, K; Pinhao, N; Barquinha, P; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: Microscopy and Microanalysis, VOLUME: 19, NÚMERO: SUPPL.4
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277
TÍTULO: Temperature-Dependent Hysteresis of the Emission Spectrum of Eu-implanted, Mg-doped HVPE GaN  Full Text
AUTORES: O'Donnell, KP; Martin, RW; Edwards, PR; Lorenz, K; Alves, E; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) in PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, VOLUME: 1566
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TÍTULO: Spectroscopy of radiation defects in rutile TiO 2   Full Text
AUTORES: Rosário, CMM; Graça, MPF; Valente, MA; Costa, LC; Rodrigues, J; Monteiro, T; Alves, E; Sobolev, NA;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: Phys. Status Solidi B - physica status solidi (b), VOLUME: 250, NÚMERO: 4
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TÍTULO: Study of the relationship between crystal structure and luminescence in rare-earth-implanted Ga2O3 nanowires during annealing treatments  Full Text
AUTORES: López, I; Lorenz, K; Nogales, E; Méndez, B; Piqueras, J; Alves, E; García, JA;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: J Mater Sci - Journal of Materials Science, VOLUME: 49, NÚMERO: 3
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NO MEU: ORCID
280
TÍTULO: On the origin of strain relaxation in epitaxial CdZnO layers
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Rodrigues, J; Brandt, M; Schäfer, P; Henneberger, F; Correia, MR; Monteiro, T; Alves, E; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: Oxide-based Materials and Devices IV
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