Hugo Manuel Brito Águas
AuthID: R-000-61B
141
TÃTULO: Role of the i layer surface properties on the performance of a-Si:H Schottky barrier photodiodes Full Text
AUTORES: Águas, H; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Sensors and Actuators A: Physical, VOLUME: 99, NÚMERO: 1-2
AUTORES: Águas, H; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Sensors and Actuators A: Physical, VOLUME: 99, NÚMERO: 1-2
142
TÃTULO: Thin film metal oxide semiconductors deposited on polymeric substrates
AUTORES: Fortunato, E; Nunes, P; Marques, A; Costa, D; Aguas, H; Ferreira, I; Costa, MEV; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Transport and Microstructural Phenomena in Oxide Electronics in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 666
AUTORES: Fortunato, E; Nunes, P; Marques, A; Costa, D; Aguas, H; Ferreira, I; Costa, MEV; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Transport and Microstructural Phenomena in Oxide Electronics in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 666
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TÃTULO: Role of ion bombardment on the properties of a-Si:H films Full Text
AUTORES: Hugo Águas; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Vacuum, VOLUME: 60, NÚMERO: 1-2
AUTORES: Hugo Águas; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Vacuum, VOLUME: 60, NÚMERO: 1-2
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TÃTULO: Fast and cheap method to qualitatively measure the thickness and uniformity of ZrO2 thin films Full Text
AUTORES: Hugo Águas; António Marques; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Materials Science in Semiconductor Processing, VOLUME: 4, NÚMERO: 1-3
AUTORES: Hugo Águas; António Marques; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Materials Science in Semiconductor Processing, VOLUME: 4, NÚMERO: 1-3
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TÃTULO: Influence of the Plasma Regime on the Structural, Optical, Electrical and Morphological Properties of a-Si:H Thin Films
AUTORES: Hugo Águas; Rodrigo Martins; Yuri Nunes ; Manuel J.P Maneira; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 382
AUTORES: Hugo Águas; Rodrigo Martins; Yuri Nunes ; Manuel J.P Maneira; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 382
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TÃTULO: Plasma diagnostics of a PECVD system using different R.F. electrode configurations Full Text
AUTORES: Águas, H; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: Vacuum, VOLUME: 56, NÚMERO: 1
AUTORES: Águas, H; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: Vacuum, VOLUME: 56, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Study of the effect of different plasma-enhanced chemical vapour deposition reactor configurations on the properties of hydrogenated amorphous silicon thin films Full Text
AUTORES: Aguas, V. Silva, I. Ferreira, E. Fo, H;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: Philosophical Magazine B, VOLUME: 80, NÚMERO: 4
AUTORES: Aguas, V. Silva, I. Ferreira, E. Fo, H;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: Philosophical Magazine B, VOLUME: 80, NÚMERO: 4
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TÃTULO: Study of the effect of different plasma-enhanced chemical vapour deposition reactor configurations on the properties of hydrogenated amorphous silicon thin films Full Text
AUTORES: águas H.; Silva V.; Ferreira I.; Fortunato E.; Martins R.;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: Philosophical Magazine B: Physics of Condensed Matter; Statistical Mechanics, Electronic, Optical and Magnetic Properties, VOLUME: 80, NÚMERO: 4
AUTORES: águas H.; Silva V.; Ferreira I.; Fortunato E.; Martins R.;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: Philosophical Magazine B: Physics of Condensed Matter; Statistical Mechanics, Electronic, Optical and Magnetic Properties, VOLUME: 80, NÚMERO: 4
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TÃTULO: Performances of nano/amorphous silicon films produced by hot wire plasma assisted technique
AUTORES: Ferreira, I; Aguas, H; Mendes, L; Fernandes, F ; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: Symposium on Amorphous and Microcrystalline Silicon Technology-1998, at the MRS Spring Meeting in AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SILICON TECHNOLOGY-1998, VOLUME: 507
AUTORES: Ferreira, I; Aguas, H; Mendes, L; Fernandes, F ; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: Symposium on Amorphous and Microcrystalline Silicon Technology-1998, at the MRS Spring Meeting in AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SILICON TECHNOLOGY-1998, VOLUME: 507
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TÃTULO: Influence of the H-2 dilution and filament temperature on the properties of P doped silicon carbide thin films produced by hot-wire technique
AUTORES: Ferreira, I; Aguas, H; Mendes, L; Fernandes, F; Fortunato, E; Cenimat, RM;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: Symposium on Amorphous and Microcrystalline Silicon Technology-1998, at the MRS Spring Meeting in AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SILICON TECHNOLOGY-1998, VOLUME: 507
AUTORES: Ferreira, I; Aguas, H; Mendes, L; Fernandes, F; Fortunato, E; Cenimat, RM;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: Symposium on Amorphous and Microcrystalline Silicon Technology-1998, at the MRS Spring Meeting in AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SILICON TECHNOLOGY-1998, VOLUME: 507
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