José Pedro de Abreu Coutinho
AuthID: R-000-8V3
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TÃTULO: Iron in Hydroxyapatite: Interstitial or Substitution Sites?
AUTORES: Avakyan, L; Paramonova, E; Bystrov, V; Coutinho, J; Gomes, S; Renaudin, G;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: NANOMATERIALS, VOLUME: 11, NÚMERO: 11
AUTORES: Avakyan, L; Paramonova, E; Bystrov, V; Coutinho, J; Gomes, S; Renaudin, G;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: NANOMATERIALS, VOLUME: 11, NÚMERO: 11
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TÃTULO: Comment on "Experimental Evidence for a New Two-Dimensional Honeycomb Phase of Silicon: A Missing Link in the Chemistry and Physics of Silicon Surfaces?" Comment
AUTORES: Zhachuk, RA; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, VOLUME: 126, NÚMERO: 1
AUTORES: Zhachuk, RA; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, VOLUME: 126, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Acceptor-oxygen defects in silicon: The electronic properties of centers formed by boron, gallium, indium, and aluminum interactions with the oxygen dimer
AUTORES: de Guzman, JAT; Markevich, VP; Hawkins, ID; Coutinho, J; Ayedh, HM; Binns, J; Abrosimov, NV; Lastovskii, SB; Crowe, IF; Halsall, MP; Peaker, AR;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 130, NÚMERO: 24
AUTORES: de Guzman, JAT; Markevich, VP; Hawkins, ID; Coutinho, J; Ayedh, HM; Binns, J; Abrosimov, NV; Lastovskii, SB; Crowe, IF; Halsall, MP; Peaker, AR;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 130, NÚMERO: 24
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TÃTULO: Synthesis and structural characterization of iron-cementite nanoparticles encapsulated in carbon matrix
AUTORES: Avakyan, L; Manukyan, A; Bogdan, A; Gyulasaryan, H; Coutinho, J; Paramonova, E; Sukharina, G; Srabionyan, V; Sharoyan, E; Bugaev, L;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: JOURNAL OF NANOPARTICLE RESEARCH, VOLUME: 22, NÚMERO: 1
AUTORES: Avakyan, L; Manukyan, A; Bogdan, A; Gyulasaryan, H; Coutinho, J; Paramonova, E; Sukharina, G; Srabionyan, V; Sharoyan, E; Bugaev, L;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: JOURNAL OF NANOPARTICLE RESEARCH, VOLUME: 22, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Influence of hydrogen implantation on emission from the silicon vacancy in 4H-SiC
AUTORES: Bathen, ME; Galeckas, A; Coutinho, J; Vines, L;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 127, NÚMERO: 8
AUTORES: Bathen, ME; Galeckas, A; Coutinho, J; Vines, L;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 127, NÚMERO: 8
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TÃTULO: Silicon carbide neutron detector testing at the JSI TRIGA reactor for enhanced border and port security
AUTORES: Radulović, V; Yamazaki, Y; Pastuović, Ž; Sarbutt, A; Ambrožič, K; Bernat, R; Ereš, Z; Coutinho, J; Ohshima, T; Capan, I; Snoj, L;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, VOLUME: 972
AUTORES: Radulović, V; Yamazaki, Y; Pastuović, Ž; Sarbutt, A; Ambrožič, K; Bernat, R; Ereš, Z; Coutinho, J; Ohshima, T; Capan, I; Snoj, L;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, VOLUME: 972
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TÃTULO: Characterisation of negative-U defects in semiconductors
AUTORES: Coutinho, J; Markevich, VP; Peaker, AR;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 32, NÚMERO: 32
AUTORES: Coutinho, J; Markevich, VP; Peaker, AR;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 32, NÚMERO: 32
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TÃTULO: Formation and dissociation reactions of complexes involving interstitial carbon and oxygen defects in silicon
AUTORES: Ayedh, HM; Monakhov, EV; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: PHYSICAL REVIEW MATERIALS, VOLUME: 4, NÚMERO: 6
AUTORES: Ayedh, HM; Monakhov, EV; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: PHYSICAL REVIEW MATERIALS, VOLUME: 4, NÚMERO: 6
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TÃTULO: Piezoelectric, ferroelectric, and optoelectronic phenomena in hydroxyapatite with various defect levels
AUTORES: Bystrov, VS; Coutinho, J; Avakyan, LA; Bystrova, AV; Paramonova, EV;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: FERROELECTRICS, VOLUME: 559, NÚMERO: 1
AUTORES: Bystrov, VS; Coutinho, J; Avakyan, LA; Bystrova, AV; Paramonova, EV;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: FERROELECTRICS, VOLUME: 559, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Pentamers with interstitial atoms as the building blocks of the Ge(331)-5 x 1 surface
AUTORES: Zhachuk, RA; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: APPLIED SURFACE SCIENCE, VOLUME: 533
AUTORES: Zhachuk, RA; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: APPLIED SURFACE SCIENCE, VOLUME: 533
