José Pedro de Abreu Coutinho
AuthID: R-000-8V3
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TÃTULO: Electrical levels and diffusion barriers of early 3d and 4d transition metals in silicon
AUTORES: Marinopoulos, AG; Santos, P; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 16th International Conference on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology, GADEST 2015 in Solid State Phenomena, VOLUME: 242
AUTORES: Marinopoulos, AG; Santos, P; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 16th International Conference on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology, GADEST 2015 in Solid State Phenomena, VOLUME: 242
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TÃTULO: Mossbauer parameters of Fe-related defects in group-IV semiconductors: First principles calculations Full Text
AUTORES: Wright, E; Coutinho, J; Oberg, S; Torres, VJB;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 28th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS) in JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 119, NÚMERO: 18
AUTORES: Wright, E; Coutinho, J; Oberg, S; Torres, VJB;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 28th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS) in JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 119, NÚMERO: 18
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TÃTULO: An outlook on silicon nanocrystals for optoelectronics
AUTORES: Capan, I; Carvalho, A; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Green Engineering, VOLUME: 5, NÚMERO: 3-4
AUTORES: Capan, I; Carvalho, A; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Green Engineering, VOLUME: 5, NÚMERO: 3-4
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TÃTULO: Recombination Centers Resulting from Reactions of Hydrogen and Oxygen in n-type Czochralski Silicon
AUTORES: Markevich, VP; Contreras, MV; Mullins, J; Halsall, M; Hamilton, B; Murin, LI; Falster, R; Binns, J; Good, E; Coutinho, J; Medford, J; Reynolds, CL; Peaker, AR;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 43rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC) in 2016 IEEE 43RD PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC), VOLUME: 2016-November
AUTORES: Markevich, VP; Contreras, MV; Mullins, J; Halsall, M; Hamilton, B; Murin, LI; Falster, R; Binns, J; Good, E; Coutinho, J; Medford, J; Reynolds, CL; Peaker, AR;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 43rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC) in 2016 IEEE 43RD PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC), VOLUME: 2016-November
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TÃTULO: Computational study of hydroxyapatite structures, properties and defects Full Text
AUTORES: Bystrov, VS; Coutinho, J; Bystrova, AV; Dekhtyar, YD; Pullar, RC; Poronin, A; Palcevskis, E; Dindune, A; Alkan, B; Durucan, C; Paramonova, EV;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 48, NÚMERO: 19
AUTORES: Bystrov, VS; Coutinho, J; Bystrova, AV; Dekhtyar, YD; Pullar, RC; Poronin, A; Palcevskis, E; Dindune, A; Alkan, B; Durucan, C; Paramonova, EV;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 48, NÚMERO: 19
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TÃTULO: Modified Hydroxyapatite Structure and Properties: Modeling and Synchrotron Data Analysis of Modified Hydroxyapatite Structure Full Text
AUTORES: Bystrova, AV; Yu. D Dekhtyar; Popov, AI; Coutinho, J; Bystrov, VS;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: FERROELECTRICS, VOLUME: 475, NÚMERO: 1
AUTORES: Bystrova, AV; Yu. D Dekhtyar; Popov, AI; Coutinho, J; Bystrov, VS;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: FERROELECTRICS, VOLUME: 475, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Buckling of reconstruction elements of the edges of triple steps on vicinal Si(111) surfaces Full Text
AUTORES: Zhachuk, RA; Coutinho, J; Rayson, MJ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: JOURNAL OF EXPERIMENTAL AND THEORETICAL PHYSICS, VOLUME: 120, NÚMERO: 4
AUTORES: Zhachuk, RA; Coutinho, J; Rayson, MJ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: JOURNAL OF EXPERIMENTAL AND THEORETICAL PHYSICS, VOLUME: 120, NÚMERO: 4
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TÃTULO: Mycetoma of the Foot-Diagnosis of the Etiologic Agent and Surgical Treatment
AUTORES: Tiago Mestre; Raquel Vieira; Jose Coutinho;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: AMERICAN JOURNAL OF TROPICAL MEDICINE AND HYGIENE, VOLUME: 93, NÚMERO: 1
AUTORES: Tiago Mestre; Raquel Vieira; Jose Coutinho;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: AMERICAN JOURNAL OF TROPICAL MEDICINE AND HYGIENE, VOLUME: 93, NÚMERO: 1
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TÃTULO: DFT plus U study of electrical levels and migration barriers of early 3d and 4d transition metals in silicon
AUTORES: Marinopoulos, AG; Santos, P; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 92, NÚMERO: 7
AUTORES: Marinopoulos, AG; Santos, P; Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 92, NÚMERO: 7
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TÃTULO: Density functional modeling of defects and impurities in silicon materials
AUTORES: Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: 7th Forum on Science and Technology of Silicon Materials, Silicon Forum 2014 in Lecture Notes in Physics, VOLUME: 916
AUTORES: Coutinho, J;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: 7th Forum on Science and Technology of Silicon Materials, Silicon Forum 2014 in Lecture Notes in Physics, VOLUME: 916
